[发明专利]气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法，特别涉及具有多个气体喷出口的气环、包括这样的气环的半导体基板处理装置及使用这样的气环的半导体基板处理方法。 

背景技术

LSI(Large Scale Integrated circuit，大规模集成电路)等半导体装置是在以后要作为半导体基板(晶圆)的被处理基板上实施蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学汽相淀积)、溅射等多种处理而制造的。具体而言，例如，将处理用的反应气体供给到产生了等离子体的处理容器内，对被处理基板进行CVD的成膜处理或进行蚀刻处理。 

在此，在将反应气体供给到处理容器内时，有时使用以对被处理基板喷出反应气体的方式来供给反应气体的气体喷淋头(气环)。图16是表示以往的气体喷淋头的一个例子的图。参照图16，气体喷淋头101为将玻璃管折弯为圆环状的形状。气体喷淋头101包括用于将气体从外部导入到气体喷淋头内部的气体导入口102、用于喷出从气体导入口102导入的气体的总计16个气体喷出口。16个气体喷出口分别设置为朝向圆环状的主体部104的内径侧开口。另外，16个气体喷出口分别设置为沿周向等间隔配置。从气体导入口102导入的气体通过气体喷淋头内部从气体喷出口向气体喷淋头101的内径侧喷出。 

另外，具有上述那样构成的气体喷淋头的、进行半导体基板的处理的热处理装置公开于日本特开2000-182974号公报 (专利文献1)中。 

另外，在WO00/74127号公报(专利文献2)中，也公开了在对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置中使用的气体喷淋头。如图17所示，公开于专利文献2中的气体喷淋头111由石英管形成，是设有多个气体喷出口113的气体流路112组合为格子状而成的形状。多个气体喷出口113分别等间隔设置。 

专利文献1：日本特开2000-182974号公报(图5) 

专利文献2：WO00/74127号公报(图13) 

若采用专利文献1所示那样的气体喷淋头101，难以使从气体导入口102导入的气体从所设的多个气体喷出口的各个气体喷出口均匀地喷出。气体如箭头Z₁所示那样从气体导入口102以规定的压力、规定的流量被导入到气体喷淋头101内。在此，在接近气体导入口102一侧的气体喷出口103a、103b、103c处，几乎保持导入的压力及流量不变地从气体喷出口103a、103b、103c沿箭头Z₂所示的方向喷出气体。但是，在远离气体导入口102一侧的气体喷出口103d、103e、103f处，因压力损失等而以较低的压力、较少的流量从气体喷出口103d、103e、103f沿箭头Z₃所示的方向喷出气体。这样，在接近气体导入口102一侧的气体喷出口103a、103b、103c和远离气体导入口102一侧的气体喷出口103d、103e、103f处喷出的气体的压力、气体的流量不同，不能在各个气体喷出口103a～103f处均匀地喷出气体。 

在这种情况下，能以下述方法应对：根据导入的气体的种类、气体的压力、气体的流量等，例如使各气体喷出口的直径不同，从而能从各个气体喷出口均匀地喷出气体。但是，导入的气体的种类、气体的压力、气体的流量等条件只要稍微变化就不能应对。 

另外，若采用具有这样的气体喷淋头101的半导体基板处理装置，由于不能从各气体喷出口对被处理基板均匀地喷出气体，因此，不能对被处理基板适当地进行蚀刻、CVD等处理。 

本发明的目的在于提供一种能从各气体喷出口均匀地喷出气体的气环。 

本发明的另一目的在于提供一种能适当地对被处理基板进行蚀刻处理、CVD处理的半导体基板处理装置。 

本发明的又一目的在于提供一种能适当地对被处理基板进行蚀刻处理、CVD处理的半导体基板处理方法。