[发明专利]气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法

权利要求书

1.一种气环，其为环状，该气环包括：

气体导入口，其用于将气体从外部导入到上述气环内；

多个气体喷出口，其用于喷出从上述气体导入口导入的气 体；

多个分支路，其形成为两级以上分支路，相邻两级分支路 之间通过开口孔相连通，该开口孔设置在相邻两级分支路中的 上级分支路的端部并位于相邻两级分支路中的下级分支路的周 向中央部，上述多个分支路中的最后一级分支路在对应的两个 气体喷出口之间延伸，上述多个分支路中的除最后一级分支路 之外的分支路在对应的两个开口孔之间延伸，

分支点，其位于与导入口相连通的分支路的周向中央部， 气体导入口在该分支点处与分支路相连通，

从上述各气体喷出口到与之对应的上述各分支路的分支点 的流路长度分别相等。

2.根据权利要求1所述的气环，上述气环为圆环状。

3.根据权利要求1所述的气环，

多个上述气体喷出口分别等间隔地配置。

4.根据权利要求1所述的气环，

从上述各气体喷出口到与之对应的上述分支点的流路阻力 成分分别相等。

5.根据权利要求1所述的气环，

多个上述气体喷出口分别为圆形状，

多个圆形状的上述气体喷出口的直径分别相等。

6.一种半导体基板处理装置，其包括：

处理容器，在其内部对被处理基板进行处理；

保持台，其配置于上述处理容器内，将上述被处理基板保 持于该保持台上；

等离子体产生部件，其用于在上述处理容器内产生等离子 体；

反应气体供给部，其用于朝向被保持在上述保持台上的上 述被处理基板供给处理用的反应气体，

上述反应气体供给部包括：

喷射器，其朝向被保持在上述保持台上的上述被处理基板 的中央区域喷出处理用的反应气体；

气环，其为权利要求1～5中任一项所述的气环，朝向被保 持于上述保持台上的上述被处理基板的端部区域喷出处理用的 反应气体，

上述气环设于避开被保持于上述保持台上的被处理基板的 正上方区域的位置。

7.根据权利要求6所述的半导体基板处理装置，上述等离 子体产生部件包括微波产生器和电介质板，上述微波产生器用 于产生等离子体激发用的微波；上述电介质板设于与上述保持 台相对的位置，用于将微波导入到上述处理容器内。

8.根据权利要求6或7所述的半导体基板处理装置，

上述被处理基板为圆板状，

上述气环为圆环状，

上述气环的内径大于上述被处理基板的外径。

9.根据权利要求6或7中任一项所述的半导体基板处理装 置，

上述处理容器包括位于上述保持台下方侧的底部、从上述 底部的外周向上方延伸的侧壁，

上述气环埋设于上述侧壁内。

10.一种半导体基板处理方法，其为对被处理基板进行处 理而制造半导体基板的半导体基板处理方法，该方法包括以下 工序：

准备喷射器和气环的工序，该喷射器用于对被处理基板的 中央区域喷出处理用的反应气体，该气环为权利要求1～5中任 一项所述的气环，其用于对被处理基板的端部区域喷出处理用 的反应气体；

将被处理基板保持在设于处理容器内的保持台上的工序；

用于在处理容器内产生等离子体的工序；

从喷射器及气环朝向被处理基板喷出处理用的反应气体， 并利用产生的等离子体对被处理基板进行处理的处理工序。