[发明专利]电子元件制造方法及其封装结构无效
申请号: | 200910143133.3 | 申请日: | 2009-05-14 |
公开(公告)号: | CN101887860A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 陈怀德 | 申请(专利权)人: | 群登科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/78;H01L23/552 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 制造 方法 及其 封装 结构 | ||
1.一种电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,其步骤包括:
a、提供一具有多个电子元件的基板;
b、将一封胶体包覆于该基板的至少一电子元件上;
c、对该封胶体切出多个预切槽以形成多个封胶单元,其中该每一个封胶单元包覆至少一个该电子元件;
d、在所述封胶单元以及所述预切槽处形成一包覆所述封胶单元的电磁遮蔽层;以及
e、沿至少一该预切槽进行切割以形成多个电子元件封装结构。
2.根据权利要求1所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,所述电子元件利用多条焊线电性连结于该基板。
3.根据权利要求1所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,该基板具有有至少一接地导线。
4.根据权利要求3所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,该基板系具有至少一贯穿孔,并与该接地导线电性连结。
5.根据权利要求1所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,该封胶体的材质为一热固性树脂。
6.根据权利要求5所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,该封胶体的材质为一环氧树脂。
7.根据权利要求1所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,在步骤c中利用激光刀、树脂胶锯片或其他切割工具将该封胶体预切出所述预切槽。
8.根据权利要求1所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,在步骤c中利用蚀刻方法将该封胶体预切出所述预切槽。
9.根据权利要求1所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,该电磁遮蔽层为一导电壳体。
10.根据权利要求9所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,该导电壳体由一铜、镍、金、铝或其他合金金属等导电材质所构成。
11.根据权利要求9所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,该导电壳体利用镶嵌、粘着等接合方式固定于所述封胶单元。
12.根据权利要求1所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,该电磁遮蔽层为一导电涂层。
13.根据权利要求12所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,该导电涂层由一铜、镍、金、铝或其他合金金属等导电材质所构成。
14.根据权利要求12所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,该导电涂层利用涂抹、压合、电镀、溅镀、气相沉积或其他表面形成方式形成。
15.根据权利要求1所述的电子元件封装结构的制造方法,其特征在于,在步骤d后具有一步骤d1,将一封胶表面体包覆于该电磁遮蔽层。
16.一种电子元件封装结构,其特征在于,该封装结构包括:
一基板,具有至少一接地区;
至少一电子元件,设置于该基板上;
至少一封胶单元,包覆于该基板的上述至少一电子元件;
至少一预切槽,形成于该封胶单元的周围并延伸至该基板的接地区;以及
一电磁遮蔽层,包覆于该封胶单元表面以及该预切槽,并与该接地区导通。
17.根据权利要求16所述的电子元件封装结构,其特征在于,该电子元件利用多条焊线电性连结于该基板。
18.根据权利要求16所述的电子元件封装结构,其特征在于,该接地区为至少一接地导线。
19.根据权利要求18所述的电子元件封装结构,其特征在于,该基板系具有至少一贯穿孔,并与该接地导线电性连结。
20.根据权利要求16所述的电子元件封装结构,其特征在于,该封胶单元的材质为一热固性树脂。
21.根据权利要求20所述的电子元件封装结构,其特征在于,该封胶单元的材质为一环氧树脂。
22.根据权利要求16所述的电子元件封装结构,其特征在于,该电磁遮蔽层为一导电壳体。
23.根据权利要求22所述的电子元件封装结构,其特征在于,该导电壳体由一铜、镍、金、铝或其他合金金属等导电材质所构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造