[发明专利]有机发光显示器及其制造方法

说明书

本申请要求享有2008年8月13日提交的韩国专利申请 No.10-2008-0079450的权益，其在这里引入作为参考。

技术领域

本发明涉及一种有机发光显示器件及其制造方法。

背景技术

用在有机发光显示器件中的有机发光元件是自发光元件，其包括设置在 形成于基板上的两个电极之间的发光层。

根据光发射方向，有机发光显示器件分为顶发光型、底发光型、和双侧 发光（dual-emission）型。根据驱动方法，有机发光显示器件又分为无源矩阵 型和有源矩阵型。

有机发光显示器件通过向以矩阵方式布置的多个子像素施加扫描信号、 数据信号和电力，从该以矩阵方式布置的多个子像素选择一个并控制所选择 的像素发光，由此显示图像。

每个子像素都包括基板上的晶体管和设置在晶体管上的有机发光二极 管。有机发光二极管分为常规型（normal type）有机发光二极管和反向型 (inverted type)有机发光二极管。在常规型有机发光二极管中，阳极、有机发 光层和阴极顺序地形成在晶体管上。在反向型有机发光二极管中，阴极、有 机发光层和阳极顺序地形成在晶体管上。

根据现有技术的有机发光显示器件包括反向型有机发光二极管。这种有 机发光显示器件有一个问题，即，由于在沉积阴极的电极时阴极的界面被氧 化，所以元件的可靠性和寿命降低。

根据现有技术的有机发光显示器件还有另一个问题，即，由于阴极的氧 化，导致电子注入效率降低。

因此，其需要改进。

发明内容

本发明是用来提供一种有机发光显示器件及其制造方法。

在一个方面中，一种有机发光显示器件可包括晶体管、阴极、堤层(bank  layer)、金属缓冲层、有机发光层和阳极。所述晶体管可形成在基板上。所述 阴极可形成在所述晶体管上并与所述晶体管的源极或漏极连接。所述堤层可 形成在所述阴极上并包括开口。所述金属缓冲层可设置在所述开口中暴露的 所述阴极上。所述有机发光层可形成在所述金属缓冲层上，并且所述阳极可 形成在所述有机发光层上，其中，所述阳极由透明材料形成，并且所述阴极 由铝、铝合金或银形成，其中，所述金属缓冲层形成在所述阴极和所述有机 发光层的空穴注入层之间，其中，所述金属缓冲层由铝(Al)、银(Ag)、钙(Ca) 和镁(Mg)中的一种构成。

此外，所述金属缓冲层的厚度可大约为到

另外，所述晶体管可包括所述基板上的栅极、所述栅极上的第一绝缘层、 所述第一绝缘层上的有源层、连接到所述有源层的所述源极和所述漏极、所 述源极和所述漏极上的第二绝缘层、以及所述第二绝缘层上的第三绝缘层， 并且所述阴极可设置在所述第三绝缘层上并连接到所述漏极。

此外，所述晶体管可为N-型晶体管。

在另一方面中，一种用于制造有机发光显示器件的方法可包括：在基板上 形成晶体管；在所述晶体管上形成与所述晶体管的源极或漏极连接的阴极；在 形成所述阴极之后，在所述阴极上形成具有开口的堤层；在所述开口中暴露的 所述阴极上进行等离子体预处理；在所述开口中暴露的所述阴极上形成与所述 阴极物理接触的金属缓冲层；在所述金属缓冲层上形成有机发光层；以及在所 述有机发光层上形成阳极，其中，所述阳极由透明材料形成，并且所述阴极由 铝、铝合金或银形成，其中，所述金属缓冲层形成在所述阴极和所述有机发 光层的空穴注入层之间，其中，所述金属缓冲层由铝(Al)、银(Ag)、钙(Ca)和 镁(Mg)中的一种构成。

此外，所述金属缓冲层的厚度可大约为到

再者，在所述进行等离子体预处理中，可使用氧气O₂等离子体、氮气 N₂等离子体和氩气Ar等离子体中的一种。

另外，所述进行等离子体预处理和所述形成金属缓冲层可以在同一个腔 室中连续执行。

应理解的是，以上内容的各种修改、等同方式和组合对本领域的普通技 术人员来说是显而易见的。

附图说明

将参照下面的附图详细描述本发明的实施方式，其中同样的标记指代同 样的元件。

图1是图解示出根据本发明一个典型实施方式的有机发光显示器件的子 像素电路的示图。

图2是根据本发明一个典型实施方式的有机发光显示器件的示意性断面 图。