[发明专利]有机发光显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示器件，包括：

晶体管，所述晶体管在基板上；

阴极，所述阴极在所述晶体管上并与所述晶体管的源极或漏极连接；

堤层，所述堤层在所述阴极上并具有开口；

金属缓冲层，所述金属缓冲层在所述开口中暴露的所述阴极上；

有机发光层，所述有机发光层在所述金属缓冲层上；和

阳极，所述阳极在所述有机发光层上，

其中，所述阳极由透明材料形成，并且所述阴极由铝、铝合金或银形成，

其中，所述金属缓冲层形成在所述阴极和所述有机发光层的空穴注入层 之间，

其中，所述金属缓冲层由铝(Al)、银(Ag)、钙(Ca)和镁(Mg)中的一种构成。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其中所述金属缓冲层的 厚度为到

3.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其中所述晶体管包括所述 基板上的栅极、所述栅极上的第一绝缘层、所述第一绝缘层上的有源层、连 接到所述有源层的所述源极和所述漏极、所述源极和所述漏极上的第二绝缘 层、以及所述第二绝缘层上的第三绝缘层，并且

其中所述阴极设置在所述第三绝缘层上并连接到所述漏极。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其中所述晶体管为N-型 晶体管。

5.一种用于制造有机发光显示器件的方法，包括：

在基板上形成晶体管；

在所述晶体管上形成与所述晶体管的源极或漏极连接的阴极；

在形成所述阴极之后，在所述阴极上形成具有开口的堤层；

在所述开口中暴露的所述阴极上进行等离子体预处理；

在所述开口中暴露的所述阴极上形成与所述阴极物理接触的金属缓冲 层；

在所述金属缓冲层上形成有机发光层；以及

在所述有机发光层上形成阳极，

其中，所述阳极由透明材料形成，并且所述阴极由铝、铝合金或银形成，

其中，所述金属缓冲层形成在所述阴极和所述有机发光层的空穴注入层 之间，

其中，所述金属缓冲层由铝(Al)、银(Ag)、钙(Ca)和镁(Mg)中的一种构成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述金属缓冲层的厚度为到

7.根据权利要求5所述的方法，其中在所述进行等离子体预处理中，使 用氧气O₂等离子体、氮气N₂等离子体和氩气Ar等离子体中的一种。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述进行等离子体预处理和所述形 成金属缓冲层是在同一个腔室中连续执行的。