[发明专利]具有嵌入式上电极的发光二极管元件及发光二极管结构

权利要求书

1.一种发光二极管元件，包括：

一基板；

一发光二极管结构，该发光二极管结构为多层结构，其包括一设置于该 基板上的有源发光层与一上接合层；

一开口，形成于该上接合层中；

一上电极，嵌入该上接合层中的该开口，其中该上电极与该上接合层电 性接合；以及

一导电网络，形成于该上接合层中，其中该导电网络连接该上电极与该 上接合层。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该上电极自该上接合层的 上表面凹陷。

3.如权利要求1所述的发光二极管元件，还包括一非导电层，于该上电 极之下。

4.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该上电极与该上接合层的 上表面共平面。

5.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该上电极于该上接合层中 向下延伸至大体介于50～150纳米。

6.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该导电网络于该上接合层 中向下延伸至大体小于50纳米。

7.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该上接合层为一外延层。

8.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该上接合层为一掺杂 的半导体层。

9.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该上电极具有一包含一接 合表面积与一剩余表面积的总表面积，其中该接合表面积大于该剩余表面积。

10.如权利要求9所述的发光二极管元件，其中该接合表面积大于1.5 倍的该剩余表面积。

11.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该上电极的上表面与该 导电网络共平面。