[发明专利]双极结型晶体管发射极的镇流电阻

说明书

技术领域

本发明属于晶体管技术领域，特别涉及双极结型晶体管发射极镇流电阻的结构改进。 

背景技术

在大功率双极结型晶体管器件的使用中，随着器件工作温度的提高，器件的输入阻抗降低，在外加电压一定的情况下会导致EB结的电流增大，产生大量的热量，进而导致EB结的温度进一步升高，形成恶性循环，最终器件因“热奔”烧毁。为此，在大功率双极结型晶体管的设计中，为避免此类现象的发生，一般采用发射极镇流电阻来形成电流负反馈。由于镇流电阻的存在，当发射极电流出现增大趋势时，镇流电阻上的电压降增大，在一定程度上减小了双极结型晶体管的EB结电压，从而发射极电流减小了，有效避免了器件烧毁的问题。 

传统、常用的镇流电阻参看图1～图3，可以看出：在双极结型晶体管发射极串联一镇流电阻，镇流电阻的结构包括镇流电阻本体、与镇流电阻本体连接的输入引线和输出引线。在图1结构中，输入引线与输出引线的端平面平行相对，构成电流通路。在两端面之间的距离一定的情况下，端面的面积越小，电流通过能力越小，随着高频双极结型晶体管的发展，相邻发射极之间的距离越来越小，电流通过能力越来越差，功耗也越来越大。 

在图3结构中，输入引线和输出引线呈等间距平面梳状排布，从发射极流出的电流经输入引线后分流到输出引线，相当于两电阻并联，电流通过能力较强，但镇流电阻的限流作用较差，随着高频双极结型晶体管的发展，容易导致器件烧毁。 

因此，对于双极结型晶体管发射极的镇流电阻，不仅需要考虑镇流电阻的限流效果，即阻值的大小，同时还需要考虑镇流电阻的电流通过能力，即功耗问题。 

发明内容

本发明需要解决的技术问题是在现有镇流电阻本体不变的情况下，提供一种能同时兼顾电流的通过能力和限流效果的双极结型晶体管发射极的镇流电阻，本发明主要是对现有双极结型晶体管发射极镇流电阻的结构进行改进。 

为解决上述问题，本发明的镇流电阻包括镇流电阻本体、与镇流电阻本体连接的输入引线和输出引线，输入引线和输出引线呈平面梳状排布，关键的改进是：输出引线呈等间距排布，输入引线呈疏密相间排布，形成电流的单向传输通路。 

现有的技术方案中，一条输入引线对应一条输出引线，而上述改进的方案中，两条输入引线对应一条输出引线，因此，在镇流电阻本体上空出较大的面积，并重新排布输入引线和输出引线。输入引线呈疏密相间排布，输出引线呈等间距排布，输入引线与输出引线之间的距离增大了，且电流由原来的双向分流，变成了单向传输。 

与图3相比，假定图3中输入引线与输出引线间电阻为R₁，电流由输入引线向输出引线的双向分流相当于两电阻并联，并联结果小于R₁；而改进的技术方案中，输入引线与输出电阻之间的距离增大了，且电流单向传输，其阻值为R₁+ΔR，显然，在镇流电阻本体不变的情况下，改进的方案中镇流电阻增大了。 

与图1相比，电流由输入引线流向输出引线的距离相差不多的情况，本发明改进的技术方案中，电流流经的截面积增大了，即电流的通过能力增大，功耗减小。 

采用本发明产生的有益效果是：在不改变器件及镇流电阻基本结构的条件下，做到了在保证电流通过能力较强的情况下，提高了镇流电阻的阻值，即有效降低了功耗，同时避免大功率器件因“热奔”而烧毁。 

附图说明

图1是现有的双极结型晶体管发射极镇流电阻的结构示意图； 

图2是图1的A-A向剖面图； 

图3是现有的双极结型晶体管发射极镇流电阻的结构示意图； 

图4是本发明的结构示意图； 

图中，1、输入引线；2、镇流电阻本体；3、输出引线；E代表发射极；B代表基极；C代表集电极。 

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步详细描述。 

参看图4，双极结型晶体管发射极的镇流电阻，所述镇流电阻包括镇流电阻本体2、与镇流电阻本体2连接的输入引线1和输出引线3，输入引线1和输出引线3呈平面梳状排布，关键的改进是：输出引线3呈等间距排布，输入引线1呈疏密相间排布，形成电流的单向传输通路。 

以上所述的输入引线1和输出引线3为金属薄片。 

以上所述的镇流电阻本体2为平面型电阻。