[发明专利]互连组件、其制造方法及其修复方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种互连组件、其制造方法及其修复方法。

背景技术

通常半导体器件的结构为多层结构，有时不同层需要进行电性连接，因此在半导体器件的制造中，为了将不同层的导电层进行电性连接，需要在各导电层上形成连通的接触孔，然后形成导电互连层，所述导电互连层覆盖所述接触孔，从而使不同层的导电层电性连接，所述半导体器件中进行电性连接的结构叫做互连组件。

图1a是一种现有的互连组件的示意图，图1b是图1a沿A-A’方向的剖面示意图。参考图1a和图1b，所述互连组件包括位于所述基底10第一区域的第一导电层11、位于所述基底10第二区域的第二导电层12，和位于第一导电层11和第二导电层12之间的第一绝缘层13，其中第一导电层11和第二导电层11不位于同一层。如图1b所示，通常在制造过程中先在基底的第一区域形成第一导电层11；接着在第一导电层11的上一层形成第一绝缘层13；接着在半导体器件的第二区域对应的第一绝缘层13上形成第二导电层12；接着在第二导电层12以及第一绝缘层13上形成第二绝缘层14。为了使第一导电层11和第二导电层12电性连接，接着将对第一导电层11上的第一绝缘层13和第二绝缘层14刻蚀形成第一接触孔15a；接着对第二导电层12上的第二绝缘层14进行刻蚀，形成第二接触孔15b；接着形成覆盖第一接触孔15a和第二接触孔15b及第二绝缘层14的导电互连层16，例如导电互连层16的材料可以为金属材料或者ITO(氧化铟锡)材料，这样就形成了由第一导电层11、第二导电层12和导电互连层16构成的所述互连组件。

上述互连组件受到制造工艺的影响，例如存在以下几种情况：

第一，如果第一导电层11的对应接触孔15a或第二导电层12的对应接触孔15b的位置被腐蚀；或者在形成接触孔15a和15b的过程中，对第一导电层11或第二导电层12刻蚀时出现过刻蚀，都可能使得第一导电层11和第二导电层12与导电互连层16之间断路。

第二，如果导电互连层16例如ITO在填充接触孔的过程中由于成膜质量不好发生膜裂，使得导电互连层16之间产生断裂，也可能使得第一导电层11和第二导电层12断路。

第三，如果在对第一导电层11或第二导电层12刻蚀时，刻蚀后的边缘的角度没有达到要求，从而可能使得在接触孔形成导电互连层16的时候覆盖性不好，从而也可能使得第一导电层11和第二导电层12断路。

第四，如果在后序的制造工艺中，产生的静电不能很好的被释放，也可能使得接触孔15a和15b位置的导电互连层16被静电烧毁或者击伤，从而使得第一导电层11和第二导电层12断路。

因此采用上述互连组件的半导体器件容易出现第一导电层11和第二导电层12之间发生断路的现象，而且在出现断路之后往往很难进行修复，或者在修复的过程对互连组件造成损坏。

发明内容

本发明的目的是提供一种互连组件、其制造方法及其修复方法，解决了互连组件出现断路时较难修复或在修复的过程对互连组件造成损坏的问题。本发明提供了一种互连组件，包括：基底；第一导电层，位于所述基底的第一区域上表面；第二导电层，位于所述基底的第二区域上表面；绝缘层，覆盖所述第一导电层；互连层，通过第一导电层上的接触孔和第二导电层上的接触孔导电互连所述第一导电层和所述第二导电层；还包括修复结构，所述修复结构为导电层，位于所述第一导电层和/或第二导电层上方。

优选的，所述修复结构为所述互连层在所述第一导电层上方的延伸部分和/或所述互连层在所述第二导电层上方的延伸部分，并且所述互连层在所述第一导电层上方的延伸部分和所述互连层在所述第二导电层上方的延伸部分导电相连。

优选的，所述互连层沿第一导电层和第二导电层方向延伸，所述互连层为矩形结构。

相应的，本发明还提供了一种互连组件，包括：基底；第一导电层，位于所述基底的第一区域上表面；第二导电层，位于所述基底的第二区域上表面；绝缘层，覆盖所述第一导电层；互连层，通过第一导电层上的接触孔和第二导电层上的接触孔导电互连所述第一导电层和所述第二导电层；还包括修复结构，所述修复结构为导电材料，位于所述基底的第三区域上，所述修复结构包括第一导电层向第三区域的延伸部分和第二导电层向第三区域的延伸部分，所述第一导电层向第三区域的延伸部分和第二导电层向第三区域的延伸部分在第三区域为叠层结构。

优选的，所述叠层结构中的第一导电层和/或第二导电层中具有通孔，所述通孔将所述叠层结构中的第一导电层和/或第二导电层暴露。