[发明专利]互连组件、其制造方法及其修复方法有效

专利信息
申请号: 200910051400.4 申请日: 2009-05-12
公开(公告)号: CN101887881A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 黄贤军 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201201 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 互连 组件 制造 方法 及其 修复
【权利要求书】:

1.一种互连组件,包括:

基底;

第一导电层,位于所述基底的第一区域上表面;

第二导电层,位于所述基底的第二区域上表面;

绝缘层,覆盖所述第一导电层;

互连层,通过第一导电层上的接触孔和第二导电层上的接触孔导电互连所述第一导电层和所述第二导电层;

其特征在于,还包括修复结构,所述修复结构为导电层,位于所述第一导电层和/或第二导电层上方。

2.根据权利要求1所述的互连组件,其特征在于,所述修复结构为所述互连层在所述第一导电层上方的延伸部分和/或所述互连层在所述第二导电层上方的延伸部分,并且所述互连层在所述第一导电层上方的延伸部分和所述互连层在所述第二导电层上方的延伸部分导电相连。

3.根据权利要求2所述的互连组件,其特征在于,所述互连层沿第一导电层和第二导电层方向延伸,所述互连层为矩形结构。

4.一种互连组件,包括:

基底;

第一导电层,位于所述基底的第一区域上表面;

第二导电层,位于所述基底的第二区域上表面;

绝缘层,覆盖所述第一导电层;

互连层,通过第一导电层上的接触孔和第二导电层上的接触孔导电互连所述第一导电层和所述第二导电层;

其特征在于,还包括修复结构,所述修复结构为导电材料,位于所述基底的第三区域上,所述修复结构包括第一导电层向第三区域的延伸部分和第二导电层向第三区域的延伸部分,所述第一导电层向第三区域的延伸部分和第二导电层向第三区域的延伸部分在第三区域为叠层结构。

5.根据权利要求4所述的互连组件,其特征在于,所述叠层结构中的第一导电层和/或第二导电层中具有通孔,所述通孔将所述叠层结构中的第一导电层和/或第二导电层暴露。

6.根据权利要求5所述的互连组件,其特征在于,所述第一导电层延伸到所述第二导电层上的接触孔位置,所述延伸到第二导电层上的接触孔位置的第一导电层和所述第二导电层构成修复结构的一部分。

7.根据权利要求5所述的互连组件,其特征在于,所述第二导电层延伸到所述第一导电层上的接触孔位置,所述延伸到第一导电层上的接触孔位置的第二导电层和所述第一导电层构成修复结构的一部分。

8.根据权利要求4所述的互连组件,其特征在于,所述通孔形状为圆形、方形或椭圆形。

9.根据权利要求4所述的互连组件,其特征在于,所述修复结构还包括所述互连层在所述第一导电层上方的延伸部分和/或所述互连层在所述第二导电层上方的延伸部分,并且所述互连层在所述第一导电层上方的延伸部分和所述互连层在所述第二导电层上方的延伸部分导电相连。

10.根据权利要求9所述的互连组件,其特征在于,所述互连层沿第一导电层和第二导电层方向延伸,所述互连层为矩形结构。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的互连组件的制造方法,其特征在于,包括步骤:

提供基底;

在所述基底的第一区域上形成第一导电层,对所述第一导电层进行刻蚀以形成所需图案,并形成第一导电层的绝缘层;

在所述基底的第二区域上形成第二导电层,对所述第二导电层进行刻蚀以形成所需图案,并形成第二导电层的绝缘层;

在所述第一导电层上的绝缘层中形成第一接触孔,在所述第二导电层上的绝缘层中形成第二接触孔;

在第一接触孔和第二接触孔中形成互连层,所述互连层填充在所述第一接触孔和第二接触孔中,并且使得第一导电层和第二导电层导电互连。

12.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,还包括步骤:对修复结构进行刻蚀,形成通孔,所述通孔暴露所述修复结构的第一导电层和/或第二导电层。

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