[发明专利]晶片上的集成电路和制造集成电路的方法有效
| 申请号: | 200880024318.6 | 申请日: | 2008-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN101689541A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
| 发明(设计)人: | 海莫·朔伊希尔 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L23/58 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 源;张天舒 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 集成电路 制造 方法 | ||
1.晶片上的多个集成电路,包括:
晶片基板(2);以及
在晶片基板(2)上形成的多个集成电路(la,lb,lc);其中,每 一集成电路(la,lb,lc)均包括一个电子电路(24),并且一些集成电 路(lb,lc)除了它们各自的电子电路(24)之外还包括作为整体部分 的工艺控制模块(3)。
2.如权利要求1所述的晶片上的多个集成电路,其中,多个集成 电路(la,lb,lc)是矩形的,并且工艺控制模块(3)位于相关的集成 电路(lb,lc)的边沿。
3.如权利要求1所述的晶片上的多个集成电路,其中,每一集成 电路(la,lb,lc)均包括围绕其电子电路(24)的第一密封环(26), 并且其中,每一个包括工艺控制模块(3)的集成电路(lb,lc)均包括 围绕其工艺控制模块(3)的第二密封环(27)。
4.如权利要求3所述的晶片上的多个集成电路,其中,不包括工 艺控制模块(3)的集成电路(la)包括围绕相关的集成电路(la)的一 块区域(28)的第二密封环(27),该区域(28)与工艺控制模块(3) 的区域(29)相对应。
5.如权利要求3所述的晶片上的多个集成电路,其中,集成电路 中包括工艺控制模块(3)的那些集成电路(lc)包括作为整体部分的光 学控制模块(6)。
6.如权利要求5所述的晶片上的多个集成电路,其中,光学控制 模块(6)被集成到相关的集成电路(lc)中,使得相关的光学控制模块 (6)处于由各个第二密封环(27)围绕的区域(29)中,或处于由各个 第一密封环(26)围绕的区域(30)中。
7.如权利要求6所述的晶片上的多个集成电路,其中,光学控制 模块(6)位于相关的集成电路(lc)的角上。
8.如权利要求5所述的晶片上的多个集成电路,还包括:
将多个集成电路(la,lb,lc)分隔开的多条第一锯线(4)和多 条第二锯线(5),其中,所述多条第一锯线(4)在由行限定的第一方向 (x)上平行并且彼此之间距离相等,并且所述多条第二锯线(5)在由 列限定的第二方向(y)上平行并且彼此之间距离相等;以及
多个矩形曝光场(7),每一矩形曝光场均包括由多条第一锯线(4) 和多条第二锯线(5)限定的行和列,其中,位于相关的曝光场(7)边 沿的两行(31)或两列(32)中的每行或每列中的至少一个包括至少一 个包括工艺控制模块(3)和光学控制模块(6)的集成电路(lc)。
9.如权利要求8所述的晶片上的多个集成电路,其中,光学控制 模块(6)与构成相关的曝光场(7)的边界的各条第一锯线(4)和第二 锯线(5)相邻。
10.一种制造集成电路的方法,包括以下步骤:
提供根据权利要求1至9之一的晶片上的多个集成电路(la,lb, lc);
利用分离装置(11)的对准检测器件(13)来检测工艺控制模块(3);
响应于检测到的工艺控制模块(3)来对准分离装置(11);以及
使分离装置(11)沿着将多个集成电路(la,lb,lc)分隔开的锯 线(4,5)行进。
11.如权利要求10所述的方法,其中,检测工艺控制模块(3)的 步骤可包括利用穿过晶片基板(2)的底表面(14)照射出来的光,晶片 基板(2)的底表面(14)与晶片基板(2)的其上形成有集成电路(la, lb,lc)的表面相对,并且其中,分离装置(11)沿着所述锯线(4,5) 在晶片基板(2)的底表面(14)上行进。
12.如权利要求10所述的方法,其中,工艺控制模块(3)包括接 触突块(9),接触突块(9)被布置为与工艺控制模块(3)的电子工艺 控制器件(8)接触;接触突块(9)被用于对准分离装置(11)。
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