[发明专利]用于最小化半导体衬底面板上的切口宽度的双侧衬底引脚连接

权利要求书

1.一种最小化衬底面板中的切口宽度的方法，所述衬底面板包括限定 形成半导体封装的位置的多个封装外廓，该方法包括的步骤为：

(a)在第一和第二相邻封装外廓之间的衬底面板上形成镀条，所述步骤 (a)包括形成比第二封装外廓更接近第一封装外廓的镀条；

(b)将镀条电耦连到第二封装外廓中的电端子，而不将镀条电耦连到第 一封装外廓中的电端子，且所述第一封装外廓和第二封装外廓的每个包括来 自至多两个镀条的电端子；以及

(c)切开在第二封装外廓中的电端子和镀条之间的电耦连，所述步骤(c) 具有切割可离开预期切割线的公差，在所述步骤(a)中镀条被形成为足够接近 第一封装以防止由于切割的公差而通过镀条电短接第二封装外廓上的两个 或更多个电端子。

2.如权利要求1所述的方法，其中在第一和第二相邻封装外廓之间的 衬底面板上形成镀条的所述步骤(a)包括如下步骤：形成距离第一和第二相邻 封装外廓之间的中线超过50μm的镀条。

3.如权利要求1所述的方法，其中在第一和第二相邻封装外廓之间的 衬底面板上形成镀条的所述步骤(a)包括如下步骤：形成距离第一封装外廓 25μm或更少的镀条。

4.如权利要求3所述的方法，其中第一和第二封装外廓之间的切口宽 度在100μm和225μm之间。

5.如权利要求1所述的方法，其中第一和第二封装外廓之间的切口宽 度在100μm和225μm之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中第一和第二封装外廓之间的切口宽 度在150μm和200μm之间。

7.如权利要求1所述的方法，其中将镀条电耦连到第二封装外廓中的 电端子的所述步骤(b)包括如下步骤：在镀条以及一个或多个接触插指、焊垫 和通孔之间添加镀覆引线。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述步骤(c)包括切穿镀条和镀条下 方的衬底。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述步骤(c)包括切穿镀条。

10.一种用于制造半导体封装的衬底面板，该衬底面板包括限定形成半 导体封装的位置的多个封装外廓，该衬底面板包括：

所述多个封装外廓中的第一封装外廓，该第一封装外廓包括表面上的电 端子、第一边缘和邻近第一边缘的第二边缘；

所述多个封装外廓中的第二封装外廓，该第二封装外廓包括电端子，并 且邻近第一封装外廓的第一边缘；

所述多个封装外廓中的第三封装外廓，该第三封装外廓包括电端子，并 且邻近第一封装外廓的第二边缘；

第一和第二封装外廓之间的第一镀条，该第一镀条电耦连到第一封装外 廓中的电端子而不电耦连到第二封装外廓中的电端子，该第一镀条位于第一 和第二封装外廓之间更接近第二封装外廓；以及

第一和第三封装外廓之间的第二镀条，该第二镀条电耦连到第一封装外 廓中的电端子而不电耦连到第三封装外廓中的电端子，该第二镀条位于第一 和第三封装外廓之间更接近第三封装外廓。

11.如权利要求10所述的衬底面板，其中第一镀条足够接近第二封装， 以防止在切割第一镀条的工艺期间，由于切割装置偏离预期切割线而通过第 一镀条电短接第一封装外廓的一个或多个电端子。

12.如权利要求10所述的衬底面板，其中第一镀条和第一边缘隔开的 距离与第二镀条和第二边缘隔开的距离大约相同。

13.如权利要求10所述的衬底面板，其中第一镀条和第一边缘隔开的 距离与第二镀条和第二边缘隔开的距离不同。

14.如权利要求10所述的衬底面板，其中第一镀条距离第一和第二相 邻封装外廓之间的中线超过50μm。

15.如权利要求10所述的衬底面板，其中第一镀条距离第一封装外廓 25μm或更少。

16.如权利要求15所述的衬底面板，其中第一和第二封装外廓之间的 切口宽度在100μm和225μm之间。