[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

发光结构，其包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体 层下方的有源层和在所述有源层下方的第二导电型半导体层；

在所述发光结构下方的反射电极层；和

在所述第二导电型半导体层的外周部分与所述反射电极层之间的外 保护层，

其中所述第二导电型半导体层由中心部分和包围所述中心部分的 所述外周部分组成，所述外周部分的厚度比所述中心部分的厚度低预定 的深度。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述外保护层包括半 导体材料。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述外保护层包括 GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种， 并且用n型掺杂剂或p型掺杂剂掺杂。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述外保护层的宽度 为20μm至600μm，所述外保护层的厚度为至500μm。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述外保护层包括未 掺杂的GaN层。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述第二导电型半 导体层下方的n型半导体层或p型半导体层。