[发明专利]半导体发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及例如作为移动电话的光源被使用的半导体发光装置。 此外，本发明涉及这样的半导体发光装置的制造方法。

背景技术

图5表示以往的半导体发光装置的一例(例如参照专利文献1)。 该图所示的半导体发光装置X构成为在形成有一对电极92A、92B的 基板91上接合有LED芯片93。LED芯片93和接合引线94被树脂封 装95覆盖。电极92A包括芯片接合垫92Aa。LED芯片93通过银浆 96与芯片接合垫92Aa芯片接合(die bonding)。电极92B包括用于将 接合引线94接合的接合垫92Ba。

近年来，例如移动电话重点向小型化或薄型化发展。因此，对于 作为移动电话的构成部件的半导体发光装置，薄型化的要求也很高。 作为在半导体发光装置X实现薄型化的一个方法，考虑使LED芯片 93变薄。但是，当要将薄的LED芯片93芯片接合在芯片接合垫92Aa 上时，担心银浆96上溢到LED芯片93的上表面。如果这样，则存在 电极92A与接合引线94短路的问题。

专利文献1：日本特开2001-196641号公报

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的。本发明的目的在于提供适于实 现薄型化的半导体发光装置。

本发明提供的半导体发光装置包括：基板；形成在上述基板的电 极；和在上述电极所包括的芯片接合垫上通过导电性浆料芯片接合的 半导体发光元件。上述芯片接合垫在上述基板的厚度方向看时，其外 缘位于上述半导体发光元件的外缘的内侧。此外，上述电极包括从上 述芯片接合垫向上述半导体发光元件的外侧伸出的伸出部。

根据这样的结构，上述导电性浆料的大部分存在于被上述芯片接 合垫和上述半导体发光元件夹着的空间内。因为上述芯片接合垫不具 有从上述半导体发光元件超出(溢出、凸出)的部分，所以能够抑制 上述导电性浆料从上述半导体发光元件超出的情况。此外，即使在上 述导电性浆料的量较多的情况下，多余的上述导电性浆料也会沿着上 述伸出部扩展。从而，能够防止上述导电性浆料上溢至上述半导体发 光元件的上表面。因此，能够使上述半导体发光元件较薄，实现上述 半导体发光装置的薄型化。

优选上述半导体发光元件为矩形形状，上述伸出部在上述半导体 发光元件的对角线方向上延伸，并且具有与上述芯片接合垫连接的带 状部，和与该带状部相比位于前端侧、且宽度比上述带状部宽的宽幅 部。根据这样的结构，即使上述导电性浆料从上述半导体发光元件超 出，该上述导电性浆料也从上述半导体发光元件的角部朝向上述伸出 部溢出。因此，能够防止上述导电性浆料沿着上述半导体发光元件的 侧面上溢。此外，根据上述结构，能够使沿着上述伸出部溢出的上述 导电性浆料滞留在上述较宽部。这样对于避免溢出的上述导电性浆料 沿着上述基板进一步扩展而引起短路等是有利的。

优选上述导电性浆料的厚度和上述半导体发光元件的厚度之比为 1∶5～1∶15。根据这样的结构，能够抑制上述导电性浆料的上溢，并 且为了实现上述半导体发光装置的薄型化，能够采用足够薄的元件作 为上述半导体发光元件。

本发明的其他特征和优点根据参照附图进行的以下的详细说明能 够更加明白。

附图说明

图1是表示基于本发明的第一实施例的半导体发光装置的平面图。

图2是沿着图1的II-II线的截面图。

图3是表示上述第一实施例的半导体发光装置的主要部分的截面 图。

图4是表示基于本发明的第二实施例的半导体发光装置的平面图。

图5是表示现有技术的半导体发光装置的一例的平面图。

具体实施方式

图1～图3表示基于本发明的第一实施例的半导体发光装置。图示 的半导体发光装置A1包括：基板1，一对电极2A、2B，LED芯片3， 接合引线4，和树脂封装5。在图1中，为了便于理解，用假想线表示 树脂封装5。半导体发光装置A1的宽度为0.6mm，长度为1.0mm，厚 度为0.2mm左右，小型且非常薄型。