[实用新型]集成电路组件层叠结构

权利要求书

【权利要求1】一种集成电路组件层叠结构，其包括第一晶粒和第二晶粒，该第二晶粒层叠于第一晶粒的一面上，其特征在于：所述第一晶粒周缘设有多数第一缺口，且该第一晶粒上设有第一传导区、及连接各第一缺口与第一传导区的第一布线区；该第二晶粒的周缘设有与该第一传导区对应的第二缺口，该第一传导区与第二缺口间设有导通介质，并于该第二晶粒上设有第二传导区、及连接各第二缺口与第二传导区的第二布线区。

【权利要求2】如权利要求1所述的集成电路组件层叠结构，其特征在于：所述第一及第二晶粒至少由一基板、一层叠于基板上的第一线路层、一层叠于第一线路层上的绝缘层、及一层叠于绝缘层上的第二线路层所构成。

【权利要求3】如权利要求1所述的集成电路组件层叠结构，其特征在于：所述第一及第二传导区具有多数接点。

【权利要求4】如权利要求1所述的集成电路组件层叠结构，其特征在于：所述第一及第二布线区具有多数导线。

【权利要求5】如权利要求1所述的集成电路组件层叠结构，其特征在于：所述导通介质为导电胶。

【权利要求6】如权利要求1所述的集成电路组件层叠结构，其特征在于：所述第二晶粒上层叠有第三晶粒，该第三晶粒的周缘设有与该第二传导区对应的第三缺口，该第二传导区与第三缺口间设有导通介质，并于该第三晶粒上设有第三传导区、及连接各第三缺口与第二传导区的第三布线区。