[实用新型]一种介电质层结构

权利要求书

1.一种介电质层结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底之上的金属线；

位于该衬底及该金属线之上的第一层介电质层，作为阻挡层；

位于该第一层介电质之上的第二层介电质层；

位于该第二层介电质层之上的第三层介电质层，该第三层介电质层的表面通过化学机械研磨工艺达到表面的平坦化；以及

位于该第三层介电质层之上的氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种介电质层结构，其特征在于，上述第一层介电质层的材料为氧化物或氮化物。

3.根据权利要求1所述的一种介电质层结构，其特征在于，上述第二层介电质层的材料为未掺杂氧化硅或掺杂氟、硼、磷的氧化硅。

4.根据权利要求1所述的一种介电质层结构，其特征在于，上述第三层介电质层为PECVD沉积的氧化物，其源材料包括甲硅烷或正硅酸乙酯。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的一种介电质层结构，其特征在于，位于该第三层介电质层之上的氧化物薄膜由PECVD设备沉积，该氧化物薄膜的厚度根据介电质层结构的目标厚度与CMP后的量测厚度之差值决定。

6.根据权利要求5所述的一种介电质层结构，其特征在于，上述氧化物薄膜的厚度为500A～3000A。