[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

具有槽部的衬底；

第一布线，沿着上述槽部设置在上述槽部的底面上并且具有第一 膜厚；

第二布线，设置在上述衬底上且与上述第一布线电连接，并且具 有比上述第一膜厚厚的第二膜厚；

设置在上述衬底上并与上述第二布线电连接的元件；

具有与上述衬底之间夹持上述第一布线的部分并且在上述衬底上 包围上述第二布线及上述元件的构件；

以在上述衬底上的被上述构件包围的区域上形成腔的方式设置在 上述构件上的盖层，

上述衬底包括：具有构成上述槽部的底面的第一氧化膜的基材部； 构成上述槽部的侧面的第二氧化膜。

2.如权利要求1的半导体装置，其中，

上述元件及上述构件分别由掺杂后的多晶硅构成。

3.如权利要求1的半导体装置，其中，

上述元件包括能够相对于上述衬底变位地设置的部分。

4.如权利要求1的半导体装置，其中，

上述槽部的深度和上述第一膜厚相同。

5.如权利要求1的半导体装置，其中，

上述第一布线具有在上述衬底上与上述第二布线交叉的部分，

还具备将上述交叉的部分及上述第二布线彼此隔开的层间绝缘 膜。