[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有第一导电类型的半导体衬底；

具有大致U形外形并且由布置在所述半导体衬底上的外延层形 成的电阻器，所述外延层具有与所述第一导电类型不同的第二导电类 型；

在所述电阻器的外表周围形成的并且具有足以到达所述半导体 衬底的深度的第一沟槽；

在所述电阻器的内部形成以便向所述电阻器提供所述U形外形 的第二沟槽；

布置在所述第一沟槽中的第一绝缘薄膜；

布置在所述第二沟槽中的第二绝缘薄膜；以及

所述第二导电类型的重掺杂区，具有足以获得与设置在所述电阻 器两端的金属线的接触的杂质浓度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电类型外延 层的厚度为0.1μm到10μm。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二导电类型外延 层的特定电阻为0.01Ωcm到150Ωcm。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中引入所述第二导电类型 重掺杂区的杂质包括BF₂。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中引入所述第二导电类型 重掺杂区的杂质包括B。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中引入所述第二导电类型 重掺杂区的杂质的浓度等于或大于1E15atm/cm³。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

在第一导电类型半导体衬底上形成第二导电类型外延层，所述第 二导电类型外延层具有与所述第一导电类型半导体衬底导电类型相 反的导电类型；

在除用作所述第二导电类型外延层的电阻器的部分外的部分中， 提供具有不同深度的两种类型沟槽，其中所述电阻器具有大致U形外 形；

在所述具有不同深度的两种类型沟槽内设置绝缘薄膜，以便将由 所述两种类型沟槽形成的多个所述电阻器相互电绝缘；以及

形成第二导电类型重掺杂区，其中杂质的浓度增大以便能够获得 与所述第二导电类型外延层在用作所述电阻器的所述部分中并且与 金属线的充分接触。