[发明专利]半导体受光元件和照度传感器

权利要求书

1.一种半导体受光元件，其形成在P型半导体基板内，其特征在于， 该半导体受光元件具有：

P型阱区域和N型阱区域，该两者沿着所述P型半导体基板的表面 并排设置；

高浓度N型区域，其形成在所述P型阱区域的表面附近；

高浓度P型区域，其形成在所述N型阱区域的表面附近；以及

与所述高浓度N型区域并排设置在所述P型阱区域的表面附近的P 型区域、和与所述高浓度P型区域并排设置在所述N型阱区域的表面附 近的N型区域，

由所述N型阱区域和所述高浓度P型区域形成的PN结比由所述P 型阱区域和所述高浓度N型区域形成的PN结形成在距所述P型半导体 基板表面更浅的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体受光元件，其特征在于，该半导体 受光元件具有设置在所述P型半导体基板的表面的透光性的绝缘膜，

该半导体受光元件具有多个金属电极，该多个金属电极贯通所述绝 缘膜，并与所述P型阱区域、所述N型阱区域、所述高浓度N型区域以 及所述高浓度P型区域分别电连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体受光元件，其特征在于，所述 P型阱区域是通过注入能量相互不同的2次离子注入来形成的。

4.根据权利要求1或2所述的半导体受光元件，其特征在于，所述 P型阱区域的杂质浓度高于所述P型半导体基板的杂质浓度。

5.根据权利要求4所述的半导体受光元件，其特征在于，所述P型 阱区域是通过注入能量相互不同的2次离子注入来形成的。