[发明专利]焊垫结构、包括该焊垫结构的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

接合区域，可以在该接合区域进行接合；和

焊垫结构，在所述接合区域中且延伸到所述接合区域之外，所述焊垫结构包括：

第一金属层，和

在所述第一金属层之上的第二金属层，其中，在所述第一金属层中，在所述接合区域没有金属。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一金属层包括铜。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一金属层包括铝。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第一金属层与所述第二金属层之间的阻挡金属层。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述阻挡金属层包括Ta、TaN、TiN和WN中的至少一种。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二金属层包括铝。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二金属层包括铜。

8.如权利要求7所述的半导体器件，还包括形成在所述第二金属层上的镀层。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述镀层包括镍、铅和金中的至少一种。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一金属层包括电耦接到所述第二金属层的连续导电区域。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一金属层包括电耦接到所述第二金属层的多个导电引脚。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二金属层包括电耦接到所述第一金属层的接触插塞区域。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述导电插塞区域包括与所述第一金属层接触的多个导电插塞。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述导电插塞区域包括电耦接到所述第一金属层的连续导电区域。

15.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第一金属层之下的保护层。

16.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成接合区域，可在所述接合区域进行接合；

在所述接合区域中形成焊垫结构，并且所述焊垫结构延伸到所述接合区域之外，所述形成焊垫结构包括：

形成第一金属层；和

在所述第一金属层之上形成第二金属层，其中所述第一金属层形成为在所述接合区域没有金属。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述第一金属层由铜形成。

18.如权利要求16所述的方法，其中所述第一金属层由铝形成。

19.如权利要求16所述的方法，还包括在所述第一金属层与所述第二金属层之间形成阻挡金属层。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述阻挡金属层包括Ta、TaN、TiN和WN中的至少一种。

21.如权利要求16所述的方法，其中所述第二金属层由铝形成。

22.如权利要求16所述的方法，其中所述第二金属层由铜形成。

23.如权利要求22所述的方法，还包括在所述第二金属层上形成镀层。

24.如权利要求23所述的方法，其中所述镀层包括镍、铅和金中的至少一种。

25.如权利要求16所述的方法，其中所述第一金属层形成为具有电耦接到所述第二金属层的连续导电区域。

26.如权利要求16所述的方法，其中所述第一金属层形成为具有电耦接到所述第二金属层的多个导电引脚。

27.如权利要求16所述的方法，其中所述第二金属层形成为具有电耦接到所述第一金属层的接触插塞区域。

28.如权利要求27所述的方法，其中所述接触插塞区域包括电耦接到所述第一金属层的多个导电插塞。

29.如权利要求27所述的方法，其中所述接触插塞区域包括电耦接到所述第一金属层的连续导电区域。