[发明专利]多比特快闪存储器件及其编程和读取方法有效
| 申请号: | 200810177840.X | 申请日: | 2008-10-23 |
| 公开(公告)号: | CN101430933A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
| 发明(设计)人: | 姜东求;蔡东赫;李承宰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 特快 闪存 器件 及其 编程 读取 方法 | ||
1.一种编程快闪存储器件的方法,该快闪存储器件被配置为在每单 位单元中编程多个比特,其中依据被选中编程的比特的在前的比特的编 程是否被跳过来设置该被选中的比特的编程条件,
其中,当对该单元的第i+1个比特编程而设置编程条件时,i是一个 正数,该方法包括:
识别标志信息以确定该单元的第i个比特的编程是否被跳过;
如果该第i个比特的编程未被跳过,则应用用于该第i+1个比特编程 算法的编程条件,以编程该单元的第i+1个比特。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述编程条件包括编程电压Vpgm 的电平、编程电压Vpgm的供给次数、增加的电压量ΔV或编程电压供 给周期中的至少一个,其可应用于增量步进脉冲编程ISPP的每一个编程 循环。
3.如权利要求1所述的方法,其中,
如果该第i个比特的编程被跳过,在该第i个比特处统一地编程为1, 并且应用用于该第i+1个比特编程算法的编程条件,以编程该单元的该第 i+1个比特。
4.如权利要求3所述的方法,其中,将第i+1个比特的普通读取电 压施加到该被编程的第i+1个比特。
5.如权利要求1所述的方法,其中,
如果该第i个比特的编程被跳过,则应用用于该第i个比特编程算法 的编程条件,以编程该单元的第i+1个比特。
6.如权利要求5所述的方法,如果第i个比特的编程未被跳过,通 过第i+1个页编程算法对第i+1个比特编程,以及如果第i个比特的编程 被跳过,通过第i个页编程算法对第i+1个比特编程。
7.如权利要求5所述的方法,其中通过使用用于第i+1个比特的普 通读取电压来读取该被编程的第i+1个比特。
8.如权利要求5所述的方法,其中如果第i个比特的编程被跳过, 则第i个比特被编程为与第i+1个比特相同的值。
9.如权利要求5所述的方法,其中如果第i个比特的编程被跳过, 则通过使用用于第i个比特的普通读取电压来读取该被编程的第i+1个比 特。
10.一种编程快闪存储器件的方法,该快闪存储器件被配置为在每 单位单元中编程多个比特,其中依据被选中编程的比特的在前的比特的 编程是否被跳过来设置该被选中的比特的编程条件,其中当对该单元的 第i+1个比特编程而设置编程条件时,i是一个正数,该方法包括:
应用该第i+1个比特编程算法的编程条件,以编程该单元的第i+1个 比特,而不考虑该单元的第i个比特的编程是否被跳过,其中,在该单元 处执行该第i+1个页编程算法。
11.如权利要求10所述的方法,其中,如果该第i个比特的编程未 被跳过,则使用用于该第i+1个比特的普通读取电压来读取该被编程的第 i+1个比特,以及如果该第i个比特的编程被跳过,则使用被定义以与该 第i+1个比特的编程状态对应的读取电压来读取该被编程的第i+1个比 特。
12.一种编程快闪存储器件的方法,该快闪存储器件被配置为在每 单位单元中编程多个比特,以及依据对被选中编程的比特的在前的比特 的编程是否被跳过来设置被选中的比特的读取电压,
其中当对该单元的第i+1个比特编程而设置编程条件时,i是一个正 数,该方法包括:
识别标志信息以确定对该单元的第i个比特的编程是否被跳过;
如果该第i个比特的编程未被跳过,则将该第i+1个比特的普通读取 电压设置为该单元的第i+1个比特的读取电压。
13.如权利要求12所述的方法,其中
如果该第i个比特的编程被跳过,则将该第i个比特的普通读取电压 设置为该单元的第i+1个比特的读取电压。
14.如权利要求12所述的方法,其中,
如果该第i个比特的编程被跳过,则将定义为与第i+1个比特的编程 状态相对应的读取电压设置为该单元的第i+1个比特的读取电压。
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