[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

具有绝缘表面的衬底；

形成在所述绝缘表面上的第一场效应晶体管，所述第一场效应晶 体管包括第一单晶半导体层；

形成在所述第一场效应晶体管上的第一绝缘层；

形成在所述第一绝缘层上的层间绝缘层；

形成在所述层间绝缘层上的第二场效应晶体管，所述第二场效应 晶体管包括第二单晶半导体层；

形成在所述第二场效应晶体管上的第二绝缘层；以及

到达所述第一单晶半导体层的布线层，所述布线层穿透所述第一 绝缘层、所述层间绝缘层、所述第二单晶半导体层以及所述第二绝缘 层，

其中，

所述第一场效应晶体管的所述第一单晶半导体层掺杂有对所述 第一场效应晶体管的所述第一单晶半导体层赋予第一导电性的第一 杂质，

所述第二场效应晶体管的所述第二单晶半导体层掺杂有对所述 第二场效应晶体管的所述第二单晶半导体层赋予第二导电性的第二 杂质，

所述第一导电性与所述第二导电性相反，

所述第一绝缘层布置为对所述第一场效应晶体管的所述第一单 晶半导体层的沟道形成区域提供拉伸应变和压缩应变中之一，

所述第二绝缘层布置为对所述第二场效应晶体管的所述第二单 晶半导体层的沟道形成区域提供与对所述第一场效应晶体管的所述 第一单晶半导体层的沟道形成区域提供的应变相反的应变。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一导电性和所述第二导电性分别为n型导电性和p型导电 性，

所述第一绝缘层布置为对所述第一场效应晶体管的所述第一单 晶半导体层的沟道形成区域提供拉伸应变，

所述第二绝缘层布置为对所述第二场效应晶体管的所述第二单 晶半导体层的沟道形成区域提供压缩应变。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一导电性和所述第二导电性分别为p型导电性和n型导电 性，

所述第一绝缘层布置为对所述第一场效应晶体管的所述第一单 晶半导体层的沟道形成区域提供压缩应变，

所述第二绝缘层布置为对所述第二场效应晶体管的所述第二单 晶半导体层的沟道形成区域提供拉伸应变。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一导电性和所述第二导电性分别为n型导电性和p型导电 性，

所述第一场效应晶体管的所述第一单晶半导体层的与所述第一 绝缘层表面平行的表面包括{100}晶面取向，

所述第二场效应晶体管的所述第二单晶半导体层的与所述第二 绝缘层表面平行的表面包括{110}晶面取向。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一导电性和所述第二导电性分别为p型导电性和n型导电 性，

所述第一场效应晶体管的所述第一单晶半导体层的与所述第一 绝缘层表面平行的表面包括{110}晶面取向，

所述第二场效应晶体管的所述第二单晶半导体层的与所述第二 绝缘层表面平行的表面包括{100}晶面取向。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一导电性和所述第二导电性分别为n型导电性和p型导电 性，

所述第一场效应晶体管的所述第一单晶半导体层的与所述第一 绝缘层表面平行的表面包括{100}晶面取向，

所述第二场效应晶体管的所述第二单晶半导体层的与所述第二 绝缘层表面平行的表面包括{110}晶面取向，

所述第一场效应晶体管的所述第一单晶半导体层的沟道长度方 向的晶轴为<100>，

所述第二场效应晶体管的所述第二单晶半导体层的沟道长度方 向的晶轴为<110>。