[发明专利]内埋式线路结构的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种线路结构的制作方法，且特别涉及一种内埋式线路结构的制作方法。

背景技术

现今的线路板科技已发展出内埋式线路板(embedded circuit board)，而这种线路板在其表面的线路结构是埋入于介电层中，并非突出于介电层的表面。图1A至图1C是根据已知一种内埋式线路板的制造方法所绘示的流程示意图。

首先，请参照图1A，提供基板110，并在基板110上形成图案化介电层120，图案化介电层120具有凹槽图案122。凹槽图案122具有贯孔122a与沟槽122b。接着，请参照图1B，在图案化介电层120上形成种子层(未绘示)。然后，再进行无电电镀工艺与电镀工艺以形成铜层130，以填满凹槽图案122。之后，请参照图1C，蚀刻铜层130，形成导电沟道(conductive via)130a与线路(circuit)130b。

由于以已知技术形成的铜层130需同时填满深度较深的贯孔122a与深度较浅的沟槽122b且铜层130的表面需达到平坦，因此铜层130的厚度较大(约20微米)。也因此，蚀刻铜层130需耗费较长的时间且易于蚀刻的过程中损坏导电沟道130a与线路130b，尤其是当线路130b为细线路(finecircuit)时，线路130b更容易于蚀刻的过程中损坏。

发明内容

本发明提出一种内埋式线路结构的制作方法，其适于形成细线路结构。

为具体描述本发明的内容，在此提出一种内埋式线路结构的制作方法如下所述。首先，提供基板，其具有上表面与下表面，且上表面相对于下表面。接着，形成第一介电层于基板的上表面上。然后，形成第一阻镀层于第一介电层上。之后，图案化第一阻镀层与第一介电层，以于第一介电层上形成第一凹槽图案。接着，以化学方法形成第一底导电层于第一凹槽图案内，且第一底导电层暴露出第一阻镀层。然后，移除第一阻镀层。

在本发明的一实施例中，第一阻镀层的材料包括疏水性高分子材料，疏水性高分子材料的材料包括碳与氢。

在本发明的一实施例中，疏水性高分子材料的材料还包括甲基丙烯酸酯(methacrylate)型树脂、乙烯苯基(vinyl phenyl)型树脂、烯丙基(allyl)型树脂、聚丙烯酸酯(polyacrylate)型树脂、聚醚(polyether)型树脂、聚烯烃(polyolefin)型树脂、聚胺(polyamine)型树脂或聚硅氧烷(polysiloxane)型树脂。

在本发明的一实施例中，形成第一阻镀层的方法包括液相沉积(LiquidPhase Deposition，LPD)或分子气相沉积(Molecular Vapor Deposition，MVD)。

在本发明的一实施例中，移除第一阻镀层方法包括干法蚀刻、分子气相沉积法的逆向程序、研磨、刮除或是其他简易的机械加工方法。

在本发明的一实施例中，上述移除第一阻镀层的方法包括对第一阻镀层进行分子气相沉积法的逆向程序，以使第一阻镀层转变为第一亲水性薄膜，并将第一亲水性薄膜浸泡于蚀刻药液内，以移除第一亲水性薄膜。

在本发明的一实施例中，图案化第一阻镀层与第一介电层的方法包括激光烧蚀、等离子体蚀刻或机械切割工艺。

在本发明的一实施例中，化学方法包括化学金属沉积或化学气相沉积。

在本发明的一实施例中，在形成第一底导电层之后，内埋式线路结构的制作方法还包括以无电电镀法形成第一厚导电层于第一底导电层上，且第一厚导电层的厚度大于第一底导电层的厚度。

在本发明的一实施例中，在形成第一阻镀层之前，内埋式线路结构的制作方法还包括形成第一初始导电层于第一介电层上。第一介电层包括多颗触媒颗粒，而在第一介电层上形成第一凹槽图案的同时，内埋式线路结构的制作方法还包括活化并裸露部分的触媒颗粒，且化学方法包括无电电镀法。触媒颗粒的材料包括过渡金属错合物。

另外，在形成第一底导电层之后，内埋式线路结构的制作方法还包括以电镀法形成第一厚导电层于第一底导电层上。在移除第一阻镀层之后，内埋式线路结构的制作方法还包括移除第一初始导电层与第一厚导电层突出于第一介电层的部分。