[发明专利]内埋式线路结构的制作方法

权利要求书

1.一种内埋式线路结构的制作方法，包括：

提供基板，该基板具有上表面与下表面，且该上表面相对于该下表面；

形成第一介电层于该基板的该上表面上；

形成第一阻镀层于该第一介电层上；

图案化该第一阻镀层与该第一介电层，以于该第一介电层上形成第一凹槽图案；

以化学方法形成第一底导电层于该第一凹槽图案内，且该第一底导电层暴露出该第一阻镀层；以及

移除该第一阻镀层。

2.如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，其中该第一阻镀层的材料包括疏水性高分子材料，其中该疏水性高分子材料的材料包括碳与氢。

3.如权利要求2所述的内埋式线路结构的制作方法，其中该疏水性高分子材料的材料还包括甲基丙烯酸酯型树脂、乙烯苯基型树脂、烯丙基型树脂、聚丙烯酸酯型树脂、聚醚型树脂、聚烯烃型树脂、聚胺型树脂或聚硅氧烷型树脂。

4.如权利要求2所述的内埋式线路结构的制作方法，其中形成该第一阻镀层的方法包括液相沉积或分子气相沉积。

5.如权利要求2所述的内埋式线路结构的制作方法，其中移除该第一阻镀层方法包括干法蚀刻、分子气相沉积法的逆向程序、研磨或刮除。

6.如权利要求5所述的内埋式线路结构的制作方法，其中移除该第一阻镀层方法包括：

对该第一阻镀层进行分子气相沉积法的逆向程序，以使第一阻镀层转变为第一亲水性薄膜；以及

将第一亲水性薄膜浸泡于蚀刻药液内，以移除第一亲水性薄膜。

7.如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，其中图案化该第一阻镀层与该第一介电层的方法包括激光烧蚀、等离子体蚀刻或机械切割工艺。

8.如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，其中该化学方法包括化学金属沉积或化学气相沉积。

9.如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，在形成该第一底导电层之后，还包括以无电电镀法形成第一厚导电层于该第一底导电层上，且该第一厚导电层的厚度大于该第一底导电层的厚度。

10.如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，在形成该第一阻镀层之前，还包括形成第一初始导电层于该第一介电层上。

11.如权利要求10所述的内埋式线路结构的制作方法，其中该第一介电层包括多颗触媒颗粒，而在该第一介电层上形成该第一凹槽图案的同时，还包括活化并裸露部分的该触媒颗粒，且该化学方法包括无电电镀法，其中该触媒颗粒经活化后使该第一底导电层仅形成于该第一介电层的具有经活化的触媒颗粒分布的表面部分。

12.如权利要求11所述的内埋式线路结构的制作方法，其中该触媒颗粒的材料包括过渡金属错合物。

13.如权利要求10所述的内埋式线路结构的制作方法，在形成该第一底导电层之后，还包括以电镀法形成第一厚导电层于该第一底导电层上。

14.如权利要求13所述的内埋式线路结构的制作方法，在移除该第一阻镀层之后，还包括移除该第一初始导电层与该第一厚导电层突出于该第一介电层的部分。

15.一种内埋式线路结构的制作方法，包括：

提供基板，该基板具有上表面与下表面，且该上表面相对于该下表面；

形成第一介电层于该基板的该上表面上，该第一介电层包括多颗第一触媒颗粒；

形成第一亲水性薄膜于该第一介电层上；

图案化该第一亲水性薄膜与该第一介电层，以于该第一介电层上形成第一凹槽图案并使其中一些第一触媒颗粒活化且裸露于该第一凹槽图案内；

移除该第一亲水性薄膜；以及

利用化学方法，在该第一凹槽图案内形成第一图案化导电层，

其中该第一触媒颗粒经活化后使该第一图案化导电层仅形成于该第一介电层的具有经活化的第一触媒颗粒分布的表面部分。

16.如权利要求15所述的内埋式线路结构的制作方法，其中该第一亲水性薄膜的材料包括亲水性高分子材料，其中该亲水性高分子材料的材料包括碳与氢。