[发明专利]图像感测装置及其封装方法有效
| 申请号: | 200810108700.7 | 申请日: | 2008-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN101599444A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
| 发明(设计)人: | 许志扬 | 申请(专利权)人: | 印像科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
| 地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 装置 及其 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装方法,尤其涉及一种图像感测装置的封装方法。
背景技术
近些年来,如电荷耦合装置(CCD)或互补金属氧化物半导体(CMOS) 图像传感器等固态图像传感器已广泛应用于电子产品,以将光线转换为电信 号。图像传感器组件的应用包括显示器、手机、转录机、扫描仪、数码相 机等。
传统上,传感器安装于基板并封入外壳组件,以备封装使用。举例来说, 美国专利第6,268,231号揭示一种CCD封装,具有塑料底结构、安装在底结 构上的挠性塑料电路板、安装在电路板上的塑料框、安装在电路板上框内的 CCD传感器、以及安装在框上的玻璃盖。CCD传感器布线至电路板上。塑 料底结构、电路板和框、以及玻璃盖的组合,形成相当厚的封装。美国专利 第6,034,429号、第6,268,654号以及第6,143,588号还揭示一种CCD封装, 其包括安装并布线在BT基板第一侧的的IC晶粒、以各种方式形成于IC晶 粒周围的磁珠(bead)或堤(dam)、粘附于磁珠的玻璃盖座、以及粘附于 BT基板的第二侧的焊锡球(solder balls)。由于使用框、磁珠、或堤来支撑 玻璃盖座,使得封装尺寸相当大。
为解决上述传统图像感测封装方法的缺点,美国专利第7,195,940号在 其一实施例中揭示一种图像传感器的封装,通过压注模复合材料的挡板来包 围芯片并以透明盖座来盖覆芯片来装配的。在此发明的另一实施例中,芯片 边缘的区域(包括如接合线和结合区的相互连接部分)被液态环氧树脂所密 封,并粘附透明盖座。在此发明另一实施例中,通过完全透光材质的壳体来 完成芯片密封。在此发明另一实施例中,具有基板的芯片和透明盖座装载至 压注模使两者保持对正。压注模填充有制模复合物以密封芯片和其相互连接 处,并保留透明盖座。虽然图像传感器的封装尺寸因而缩减,但模制的生产 成本相当高。
鉴于上述现有缺点,因此目前亟需一种能降低生产成本的和缩减图像感 测装置尺寸的封装方法。
发明内容
本段摘述本发明的某些特征,其它特征将在后面的段落进行叙述。本发 明通过所附的权利要求定义,其合并于此段落作为参考。
本发明的主要目的是提供一种图像感测装置的封装方法,包括以下步 骤:a)在基板上提供环状堤;b)将具有露出的光接收区的图像感测模块安 装在基板上的环状堤内部;c)通过多条接合线将图像感测模块和基板连接; d)在图像感测模块上的光接收区周围形成挡板;e)将粘合剂填充于具有多 个密封接合线的环状堤与挡板之间;f)在光接收区上形成透明盖座;以及g) 切除环状堤。
根据本发明的构想,其中图像感测模块包括互补金属氧化物半导体 (CMOS)图像传感器或电荷耦合装置(CCD)图像传感器。
根据本发明的构想,其中基板包括氮化铝陶瓷、玻璃纤维强化环氧树脂、 或双马来酰亚胺三嗪树脂(bismaleimide-triazine resin)。
根据本发明的构想,其中挡板由传递成型(transfer molding)、罐形成型 (pot molding)、注入成型(injection molding)、光蚀刻过程(photolithographic process)、曝光显影过程(exposure development process)、激光切割过程(laser cutting process)、或立体蚀刻过程(stereolithographic process)所形成。
根据本发明的构想,其中使用光阻罩来限定挡板。
根据本发明的构想,其中挡板由环氧树脂(epoxy)、防焊漆(solder mask)、 或光阻所制成。
根据本发明的构想,其中封装方法步骤e)进一步包括以下步骤:e1) 在图像感测模块的光接收区上形成保护层;e2)将挡板、保护层、环状堤、 以及粘合剂平坦化;以及e3)移除保护层以露出图像感测模块的光接收区。
根据本发明的构想,其中保护层通过传递成型、罐形成型、注入成型、 光蚀刻过程、曝光显影过程、激光切割过程、或立体蚀刻过程所形成。
根据本发明的构想,其中使用光阻罩来限定保护层。
根据本发明的构想,其中保护层由环氧树脂、防焊漆、或光阻所制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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