[发明专利]图像感测装置及其封装方法有效
| 申请号: | 200810108700.7 | 申请日: | 2008-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN101599444A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
| 发明(设计)人: | 许志扬 | 申请(专利权)人: | 印像科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
| 地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 装置 及其 封装 方法 | ||
1.一种图像感测装置的封装方法,包括以下步骤:
a)在基板上提供环状堤;
b)将具有露出的光接收区的图像感测模块安装在基板上的所述环状堤内 部;
c)通过多条接合线将所述图像感测模块和基板连接;
d)在所述图像感测模块上的光接收区周围形成挡板;
e)将粘合剂填充于具有多个密封接合线的环状堤与挡板之间;
f)在所述光接收区上形成透明盖座;以及
g)切除所述环状堤。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置的封装方法,其中所述图像感测 模块包括互补金属氧化物半导体图像传感器或电荷耦合装置图像传感器。
3.根据权利要求1所述的图像感测装置的封装方法,其中所述基板包括 氮化铝陶瓷、玻璃纤维强化环氧树脂、或双马来酰亚胺三嗪树脂。
4.根据权利要求1所述的图像感测装置的封装方法,其中所述挡板通过 传递成型、罐形成型、注入成型、光蚀刻过程、曝光显影过程、激光切割过程、 或立体蚀刻过程所形成。
5.根据权利要求1所述的图像感测装置的封装方法,其中使用光阻罩来 限定所述挡板。
6.根据权利要求1所述的图像感测装置的封装方法,其中所述挡板由环 氧树脂、防焊漆、或光阻所制成。
7.根据权利要求1所述的图像感测装置的封装方法,其中步骤e)进一步 包括以下步骤:
e1)在所述图像感测模块的光接收区上形成保护层;
e2)将所述挡板、保护层、环状堤、以及粘合剂平坦化;以及
e3)移除所述保护层以露出所述图像感测模块的光接收区。
8.根据权利要求7所述的图像感测装置的封装方法,其中所述保护层通 过传递成型、罐形成型、注入成型、光蚀刻过程、曝光显影过程、激光切割过 程、或立体蚀刻过程所形成。
9.根据权利要求7所述的图像感测装置的封装方法,其中使用光阻罩来 限定所述保护层。
10.根据权利要求7所述的图像感测装置的封装方法,其中所述保护层由 环氧树脂、防焊漆、或光阻所制成。
11.一种图像感测装置,包括:
基板;
安装在所述基板上的图像感测模块,该图像感测模块具有露出的光接收 区;
用于连接所述图像感测模块和基板的多条接合线;
形成在所述图像感测模块上的光接收区周围的挡板;
填充于具有多个密封接合线的环状堤和挡板之间的粘合剂;以及
形成在所述光接收区上的透明盖座。
12.根据权利要求11所述的图像感测装置,其中所述图像感测模块包括 互补金属氧化物半导体图像传感器或电荷耦合装置图像传感器。
13.根据权利要求11所述的图像感测装置,其中所述基板包括氮化铝陶 瓷、玻璃纤维强化环氧树脂、或双马来酰亚胺三嗪树脂。
14.根据权利要求11所述的图像感测装置,其中所述挡板通过传递成型、 罐形成型、注入成型、光蚀刻过程、曝光显影过程、激光切割过程、或立体蚀 刻过程所形成。
15.根据权利要求11所述的图像感测装置,其中使用光阻罩来限定所述 挡板。
16.根据权利要求11所述的图像感测装置,其中所述挡板由环氧树脂、 防焊漆、或光阻所制成。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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