[发明专利]照射设备、半导体制造设备与方法和显示装置制造方法无效
| 申请号: | 200810097038.X | 申请日: | 2008-05-12 | 
| 公开(公告)号: | CN101303969A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 | 
| 发明(设计)人: | 月原浩一 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 | 
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/324;B23K26/00;B23K26/06;G02B26/10 | 
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 照射 设备 半导体 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种使用从半导体激光器发射的光束照射照射目标的照射设备,
其中令w为用于照射所述照射目标的光束半径,Δ为所述半导体激光器 的发散角度的个体差异率,而λ为所述半导体激光器的光束波长,
夹置在所述半导体激光器与所述照射目标之间的照射光学系统的焦点 位置被散焦,使得所述照射目标夹置在所述照射光学系统和所述焦点位置之 间,所述焦点位置和所述照射目标之间的距离z为
公式1:
2.一种进行退火处理的半导体装置制造设备,其中照射目标用从半导 体激光器发射的光束照射,以便改性在所述照射目标中的半导体膜,
其中令w为用于照射所述照射目标的光束半径,Δ为所述半导体激光器 的发散角度的个体差异率,而λ为所述半导体激光器的光束波长,
夹置在所述半导体激光器与所述照射目标之间的照射光学系统的焦点 位置被散焦,使得所述照射目标夹置在所述照射光学系统和所述焦点位置之 间,所述焦点位置和所述照射目标之间的距离z为
公式2:
3.根据权利要求2所述的半导体装置制造设备,其中所述半导体激光 器具有大面积型发射器,并且光束直径定义在垂直于所述发射器的长度方向 的方向上。
4.根据权利要求2所述的半导体装置制造设备,
其中所述照射光学系统包括:
准直透镜,用于准直来自大面积型半导体激光器的光通量;
均匀化光学系统,用于在所述半导体激光器的发射器的长度方向上均匀 化光通量;
聚光透镜,用于使用通过所述均匀化光学系统获得的光通量来照射所述 照射目标;以及
缩减光学系统,用于在垂直于所述发射器的长度方向的方向上减少所述 光通量的直径。
5.根据权利要求2所述的半导体装置制造设备,还包括:
工作台,用于在垂直于所述半导体激光器的大面积方向的方向上移动所 述照射目标;以及
多个所述半导体激光器和多个所述照射光学系统;
其中所述半导体激光器彼此平行地发射光束。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





