[发明专利]对准标记及其形成方法、半导体的对准方法

权利要求书

1.一种形成对准标记的方法，包括：

提供基底；

于该基底上形成具有标记沟渠以及接触窗的第一介电层；

于该基底上形成金属层，该金属层填满该标记沟渠以及该接触窗；

移除该标记沟渠以及该接触窗以外的该金属层，其中该标记沟渠内的该金属层的表面与该第一介电层的表面齐平，其中该金属层与该第一介电层具有不同的反射率与折射率以作为对准光束侦测出对准标记的依据。

2.根据权利要求1所述的形成对准标记的方法，其中移除该标记沟渠以及该接触窗以外的该金属层的方法包括化学机械研磨法。

3.根据权利要求1所述的形成对准标记的方法，其中该标记沟渠的宽度小于0.75微米。

4.根据权利要求1所述的形成对准标记的方法，其中该第一介电层的材料包括氧化硅。

5.根据权利要求1所述的形成对准标记的方法，其中该金属层的材料包括钨。

6.根据权利要求1所述的形成对准标记的方法，其中该金属层的厚度大于400纳米。

7.一种对准标记，配置于基底上，包括：

第一介电层，配置于该基底上，包括标记沟渠以及接触窗；

金属层，配置于该标记沟渠与该接触窗中，其中该金属层的表面与该第一介电层的表面齐平，且该金属层与该第一介电层具有不同的反射率和折射率以作为对准光束侦测出对准标记的依据。

8.根据权利要求7所述的对准标记，其中该标记沟渠的宽度小于0.75微米。

9.根据权利要求7所述的对准标记，其中该第一介电层的材料包括氧化硅。

10.根据权利要求7所述的对准标记，其中该金属层的材料包括钨。

11.根据权利要求7所述的对准标记，其中该金属层的厚度大于400纳米。

12.一种半导体工艺的对准方法，包括：

在基底上的第一介电层中形成多个对准标记以及多条导线，其包括：

在该第一介电层中形成多个标记沟渠以及多个接触窗；

在该基底上形成金属层，该金属层填满所述标记沟渠以及所述接触窗；以及

移除所述标记沟渠以及所述接触窗以外的该金属层，其中所述标记沟渠内的该金属层的表面与该第一介电层的表面齐平；

在该第一介电层上形成第二介电层；

在该第二介电层上形成掩模层；

在该掩模层上形成光致抗蚀剂层；以及

利用对准光束侦测所述对准标记，使一光掩模上的图案能正确转移到该光致抗蚀剂层，其中该对准光束以该金属层与该第一介电层的不同的反射率和折射率作为侦测的依据。

13.根据权利要求12所述的半导体工艺的对准方法，其中移除所述标记沟渠以及所述接触窗以外的该金属层的方法包括化学机械研磨法。

14.根据权利要求12所述的半导体工艺的对准方法，其中所述标记沟渠的宽度小于0.75微米。

15.根据权利要求12所述的半导体工艺的对准方法，其中该第一介电层的材料包括氧化硅。

16.根据权利要求12所述的半导体工艺的对准方法，其中该金属层包括钨。

17.根据权利要求12所述的半导体工艺的对准方法，其中该金属层的厚度大于400纳米。

18.根据权利要求12所述的半导体工艺的对准方法，其中该掩模层的材料包括非晶碳。