[发明专利]集成电路封装

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路封装。

背景技术

通常，集成电路或半导体芯片封装在保护性绝缘封装材料中。封装材料应 该在物理性能、化学性能以及成本间提供良好的平衡。对于常规半导体芯片， 通过需要液压机的铸模工艺制造封装。液压机与汽相沉积所用的前端集束型机 台不兼容。封装制造工艺未集成在半导体芯片的其他功能层的制造工艺中。因 此，铸模工艺不会从前端工艺提供的成本按比例降低中受益。

对于前端工艺，每个半导体芯片的成本与芯片表面面积近似成线性关系。 然而，成本的线性近似值对于铸模工艺不适用。例如，相同封装中较小芯片需 要较高质量的封装材料，或者每个晶片较小芯片需要较多的封装，并且因此需 要更多铸模材料和生产能力。用于铸模材料和铸模工艺的成本一般很高，对于 功率半导体更是如此。

另外，对于非常小的半导体芯片，铸模材料的流体力学与半导体芯片的绝 缘、防潮性能或抗温性能需求是不兼容的。实际上，会在铸模材料中出现空洞 和/或会导致在半导体芯片的有源层和半导体芯片封装层之间粘附不理想。

进一步，铸模工艺生产量相对低。由于铸模工艺以及后续离开原处，半导 体芯片的制造工艺流程被打断。因为制造工艺流程被打断以及随后离开原处， 所以半导体芯片受污染的风险高。随着半导体芯片变得更小，污染风险增大。

另外，铸模工艺在半导体芯片上产生热机械应力。通常，铸模工艺具有约 175℃的铸模温度。由于铸模温度，在室温下，在半导体芯片上存在显著的热机 械应力，并且随着半导体芯片温度降低，半导体芯片上的热机械应力增加。

因为这些以及其他的原因，需要本发明。

发明内容

一个实施例提供一种集成电路。该集成电路包括包含有源区域的衬底和封 装(encapsulating)该有源区域的汽相沉积的封装材料。

附图说明

附图被包括用以提供对本发明的进一步的理解并且被并入和构成该说明书 的一部分。这些图示出本发明的实施例并且与描述一起用来解释本发明的原理。 将容易领会本发明的其它实施例和本发明的多个预期的优点，同时参考以下详 细描述它们将变得更好理解。这些图的元件不一定相对于彼此按比例绘制。相 似的参考数字表示相应的相似部分。

图1示出半导体装置一实施例的截面图；

图2示出半导体装置另一实施例的截面图；

图3示出半导体装置另一实施例的截面图；

图4示出半导体装置另一实施例的截面图；

图5A示出半导体晶片一实施例的截面图；

图5B示出在锯割半导体晶片后半导体装置一实施例的截面图；

图6示出半导体晶片一实施例的截面图；

图7示出沉积正面金属层后半导体晶片一实施例的截面图；

图8示出刻蚀正面金属层后半导体晶片一实施例的截面图；

图9示出刻蚀半导体晶片中的沟槽后半导体晶片一实施例的截面图；

图10示出沉积封装材料层后半导体晶片一实施例的截面图；

图11示出减薄晶片背面后半导体晶片一实施例的截面图；

图12示出沉积背面金属层后半导体晶片一实施例的截面图；

图13示出减薄封装材料层后半导体晶片一实施例的截面图；

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考附图，这些附图构成了说明书的一部分，在这 些图中借助图示示出了可以实施本发明的特定实施例。在这方面，方向性的术 语，例如：“顶部”、“底部”、“前”、“后”、“超前(leading)”、“拖尾(trailing)” 等等，是参考所描述的图的方向来使用的。由于本发明的实施例的部件可被定 位在许多不同的方向上，因此方向性的术语仅用于说明的目的，并且决不是用 于限制。应当理解也可以利用其它实施例，并且可以在不脱离本发明的范围的 情况下做出结构或逻辑改变。因此，下面的详细描述不是在限制的意义上进行 的，并且本发明的范围将由所附权利要求来限定。