[发明专利]有源元件阵列基板以及液晶显示面板有效
申请号: | 200810086306.8 | 申请日: | 2008-03-25 |
公开(公告)号: | CN101241919A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 黄钲琅;石志鸿 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/485;G02F1/1362;G02F1/1339 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 元件 阵列 以及 液晶显示 面板 | ||
1.一种有源元件阵列基板,包括:
基板,具有显示区以及与该显示区邻接的周边电路区;
像素阵列,配置于该基板上的该显示区内;以及
至少一个接合垫,配置于该基板上的该周边电路区内,该接合垫具有至少一个透光区以及至少一个层间传导区,该接合垫包括:
第一导电层,配置于该基板上,该第一导电层在该透光区具有第一开口;
介电层,覆盖该第一导电层,且该介电层在该层间传导区内具有第二开口;
电极层,覆盖该介电层,该电极层通过该第二开口与该第一导电层电性连接;以及
保护层,覆盖该层间传导区的该电极层,并暴露出该透光区的该电极层。
2.如权利要求1所述的有源元件阵列基板,其中该接合垫还包括:第二导电层,配置于该层间导电区的该电极层与该第一导电层之间,以使得该电极层在该层间导电区内经由该第二导电层与该第一导电层连接。
3.如权利要求1所述的有源元件阵列基板,其中当每一接合垫的该透光区以及该层间传导区的数目分别为多个时,所述多个透光区以及所述多个层间传导区彼此实质上呈阵列排列,且其中所述多个层间传导区位于每一接合垫的第一行与第一列,所述多个透光区对应于所述多个层间传导区而阵列排列。
4.如权利要求1所述的有源元件阵列基板,其中该保护层为含硅的绝缘层,且该保护层为有机绝缘层。
5.如权利要求1所述的有源元件阵列基板,其中该像素阵列包括多个像素单元,各所述像素单元包括:
薄膜晶体管,具有栅极、源极以及漏极;以及
像素电极,配置于部分该漏极上,且该像素电极与该漏极电性连接。
6.一种液晶显示面板,包括:
有源元件阵列基板,包括:
基板,具有显示区以及与该显示区邻接的周边电路区;
像素阵列,配置于该基板上的该显示区内;以及
多个接合垫,配置于该基板上的该周边电路区内,每一接合垫具有至少一个透光区以及至少一个层间传导区,每一接合垫包括:
第一导电层,配置于该基板上,该第一导电层在该透光区具有第一开口;
介电层,覆盖该第一导电层,该介电层在该层间传导区内具有第二开口;
电极层,覆盖该介电层,该电极层通过该第二开口与该第一导电层电性连接;
保护层,覆盖该层间传导区的该电极层,并暴露出该透光区的该电极层;
对向基板,具有共通电极;
胶框,位于该共通电极与该有源元件阵列基板之间,且该胶框位于所述多个接合垫上方,该共通电极经由该胶框与所述多个接合垫上被暴露的所述多个电极层电性连接;以及
液晶层,配置于该有源元件阵列基板、该对向基板以及该胶框所围出的空间内。
7.如权利要求6所述的液晶显示面板,其中每一接合垫还包括:第二导电层,配置于该层间导电区内的该电极层与该第一导电层之间,以使得该电极层在该层间导电区内经由该第二导电层与该第一导电层连接。
8.如权利要求6所述的液晶显示面板,其中当每一接合垫的该透光区以及该层间传导区的数目分别为多个时,所述多个透光区以及所述多个层间传导区彼此实质上呈阵列排列,且所述多个层间传导区位于每一接合垫的第一行与第一列,所述多个透光区对应于所述多个层间传导区而阵列排列。
9.如权利要求6所述的液晶显示面板,其中该保护层为含硅的绝缘层,且该保护层为有机绝缘层。
10.如权利要求6所述的液晶显示面板,其中该像素阵列包括多个像素单元,各所述像素单元包括:
薄膜晶体管,具有栅极、源极以及漏极;以及
像素电极,配置于部分该漏极上,且该像素电极与该漏极电性连接。
11.如权利要求6所述的液晶显示面板,其中该胶框的材质为银胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810086306.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的