[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，该像素结构包括：

一扫描线，具有一第一扫描金属层及一第二扫描金属层；

一数据线，与该扫描线交错排列并形成一交错处，其中该数据线包括一第一数据金属线段及一第二数据金属层，该第一数据金属线段设置于与该交错处距一第一距离之处，该第二数据金属层设置于该交错处及该第一数据金属线段上；

一主动组件，电性耦接该数据线及该扫描线，该电性耦接该数据线及该扫描线包括：

一栅极，其中该栅极与该扫描线电性连接；

一绝缘层，部分位于该栅极上；

一沟道层，位于该栅极上方的该绝缘层上；及

一源极与一漏极，位于该沟道层上，该源极耦接该数据线；

一第一保护层及一第二保护层，覆盖该主动组件并形成一第一接触孔以露出部分该漏极，该第二保护层是覆盖于该漏极的部分边缘；以及

一像素电极，越过该第二保护层并藉由该第一接触孔与该漏极耦接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该信道层包括一奥姆接触层及一半导体层，该奥姆接触层设置于该半导体上。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该像素结构更包括一储存电容，具有一第一电容金属层及一第二电容金属层，该第二电容金属层设置于该第一电容金属层上方。

4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该像素结构更包括一第三保护层，部分覆盖于该第二电容金属层的边缘。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该像素电极覆盖该第三保护层。

6.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该储存电容更包括一电容绝缘层设置于该第一电容金属层及该第二电容金属层之间。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该像素结构更包括一第三保护层覆盖该第二电容金属层的边缘。

8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，该第三保护层具有一第二接触孔，该像素电极藉由该第二接触孔与该第二电容金属层耦接。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该数据线更包括一跨越一扫描线的阻挡层，该第二数据金属层设置于该阻挡层上。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，第二扫描金属层包括复数个第二扫描金属线段。

11.一种像素结构的制造方法，该制造方法包括：

提供一基板；

形成一图案化第一金属层于该基板上，包含一栅极、一第一扫描金属层与一第一数据金属线段；

形成一图案化绝缘层于该图案化第一金属层上；

形成一图案化半导体层于该图案化绝缘层上；

形成一图案化第二金属层，包括一源极、一漏极、一第二扫描金属层与一第二数据金属层，其中该源极与该漏极形成于该图案化半导体层上且与该栅极构成一主动组件，该第一数据金属线段及该第二数据金属层构成一数据线且电性连接该源极，该第一扫描金属层与该第二扫描金属层构成一扫描线且电性连接该栅极；

形成一图案化保护层，部分覆盖于该漏极的部分边缘；以及

形成一图案化透明导电层，该图案化透明导电层包含一像素电极，该像素电极越过该漏极的部分边缘的该图案化保护层且电性连接于该漏极。

12.如权利要求11所述的制造方法，其中形成该图案化绝缘层与形成该图案化半导体层的步骤包括：

沉积一绝缘材料层于该图案化第一金属层上；

沉积一半导体层于该绝缘材料层上；

形成一图案化光刻胶层于该半导体层上；

蚀刻该半导体层及该绝缘材料层，以形成该图案化半导体层及该图案化绝缘层；以及

去除该图案化光刻胶层。

13.如权利要求12所述的制造方法，其中形成该图案化半导体层包括：

形成一跨越该第一扫描金属层的阻挡层；以及

形成一沟道层，位于该栅极上方的该图案化绝缘层上；

其中形成该图案化第二金属层，包括设置该第二数据金属层于该阻挡层上。

14.如权利要求12所述的制造方法，该制造方法更包括形成一奥姆接触层于该图案化半导体层上。