[发明专利]掺钕钨酸镧铯激光晶体及其制备方法和用途无效
申请号: | 200810071780.3 | 申请日: | 2008-09-16 |
公开(公告)号: | CN101676443A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 王国富;赵旺;张莉珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B15/00;C30B15/04;H01S3/16 |
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地址: | 350002福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺钕钨酸镧铯 激光 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种掺钕钨酸镧铯激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Nd3+:CsLa(WO4)2,属于四方晶系,空间群为P42/nmc,晶胞参数为 Dc=6.16g/cm3,Nd3+离子作为激光激活离子,掺杂于晶体中,取代晶体中La3+离子的晶格位置,其掺杂浓度在0.5at.-15at.%之间。
2.一种权利要求1所述的掺钕钨酸镧铯激光晶体的制备方法,其特征在于:该晶体采用熔盐提拉法生长,以La2O3、Cs2CO3、WO3和Nd2O3为原料,按化学反应式:Cs2CO3+La2O3+4WO3=2CsLa(WO4)2+CO2,Cs2CO3+WO3=Cs2WO4+CO2的比例称样、混合、压片、烧结,而Nd2O3则按所需浓度加入,在铂金坩锅中,富氧气氛下提拉生长出晶体,晶体生长的参数为:生长温度1010℃,提拉速度为0.2~0.7毫米/小时,晶体转速为10~30转/分钟。
3.一种权利要求1所述的掺钕钨酸镧铯激光晶体的用途,其特征在于:该晶体用于固体激光器中作为激光工作物质,产生1060nm波长的激光输出。
4.如权利要求3所述的掺钕钨酸镧铯激光晶体的用途,其特征在于:用该晶体制成的固体激光器用于光谱学、生物医学、军事领域中。
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