[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于包括：

一基板；

多条栅线与多条数据线，配置于所述基板上，其中所述栅线与数据线相交以定义多个像素区域；

多个像素结构，配置于所述基板上的各像素区域中，其中各像素结构包括一薄膜晶体管和一像素电极，所述薄膜晶体管的源极通过接触孔电性连接所述像素电极，所述薄膜晶体管的漏极位于所述栅线与数据线的交叉部。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括共用电极线，所述像素电极部分与所述共用电极线连接。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极是位于所述栅线上。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括一栅极绝缘层，设置于所述栅线之上。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括一半导体层，其位于所述薄膜晶体管的源极和漏极的下方且在所述栅极绝缘层之上。

6.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

提供一基板；

在基板上形成栅线和栅极；

在栅线和栅极之上覆盖栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成半导体层；

在半导体层和栅极绝缘层上形成数据线和薄膜晶体管的漏极、源极，其中以所述栅线和数据线的交叉部作为所述漏极；以及

形成像素电极并通过接触孔和薄膜晶体管的源极电性连接。