[发明专利]挠曲性、低介电损失组合物及其制造方法有效
申请号: | 200810008114.5 | 申请日: | 2008-02-04 |
公开(公告)号: | CN101503558A | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 刘淑芬;陈孟晖;余曼君 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | C08L29/14 | 分类号: | C08L29/14;C08L67/00;C08L33/20;C08L47/00;C08L25/08;C08L77/00;C08L79/08;C08L75/02;C08L75/04;C08L63/00;C08L71/12;C08K3/24;H05K1/03 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;祁建国 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 挠曲 低介电 损失 组合 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是涉及高介电材料,且特别涉及一种挠曲性高介电材料,可应用于印刷电路板与IC基板。
背景技术
近来在电子产品生活化与多功能化后需求大增,使得软性电子产业蓬勃发展,可结合硬质产品与软质组件以提高电子产品的功能及便利性。目前电子基板中的被动原件与主动组件数量大幅增加,为了提高被动组件在软/硬电子基板的应用,开发具挠曲性的被动组件除了可大幅提高电子产品的良率与可靠度,并且可降低电路板面积以提高组件密度。
美国专利第5162977号与6274224 B1都公开有关埋入式电容技术的观念与结构说明,在材料上仅提及获得高介电材料的方法一环氧树脂中添加陶瓷粉体的公知技术,并未公开材料配方的重点技术,且未针对软板加以考虑,因此该材料不具挠曲性,也无法应用于软板上。
美国专利第5739193号公开利用一高介电常数的聚合物,包括一热塑性树脂以及高介电常数的第一陶瓷粉体与第二陶瓷粉体。此聚合物的介电常数不会随着改变温度产生巨大的变化。
美国专利第6608760号公开一种介电材料,可用于印刷线路板工艺中,此介电材料包括至少一有机聚合物及填充材料。此介电材料的介电常数在温度55-125℃的变化不会超过15%。
美国专利第6905757号公开一种组合物,可用于印刷电路板的内埋电容层。此组合物包括树脂及介电粉体。然而,上述材料并不具有挠曲性。
美国专利第6150456、6657849号提出使用聚亚酰胺树脂为其主要的树脂来源。JP 338667公开使用PI系统的感旋光性高分子做为树脂成份,虽然其具有挠曲性,但加工性不佳且其高吸湿性无法应用于高频段电子产品上。
此外,美国专利第4996097、5962122号的液晶高分子/陶瓷粉体系统等, 虽然分别利用PTFE与液晶高分子取代热固性树脂(如环氧树脂)来达成高频低介电损失的目的,然而该专利配方仅适用于热熔融法加工,并不能采用PCB工艺制造出电容性基板。
由上述可知,目前尚未有挠曲性的低介电损失材料并同时可用传统(软性)PCB工艺制造电容性基板。因此在未来高频段产品应用的需求,以及在材料的实用性以及产品较佳的可靠度考虑下,如何发展一个同时具有挠曲性以及低介电损失的高介电的材料是目前半导体业界亟需研究的重点之一。
发明内容
本发明是提供一种挠曲性电路基板材料,包括一SrTiO3及/或Ba(Sr)TiO3 陶瓷粉体,该陶瓷粉体的粒径为约30nm至2μm之间,且占该基板全部重量的20-80%;至少一种的挠曲性高分子树脂,其中该挠曲性高分子树脂为一具羟基的高分子树脂、一具羧基的高分子树脂、一具烯丙基的高分子树脂、一具胺/氨基的高分子树脂或一脂肪链环氧树脂,且该树脂占该基板全部重量的1.0-50%;以及一热固性树脂。
本发明另提供一种挠曲性电路基板材料的制造方法,包括:(a)提供至少一热固性树脂及一溶剂,使该环氧树脂溶于该溶剂中以形成一环氧树脂溶液;(b)加入至少一挠曲性高分子树脂、一硬化剂及一催化剂,使该挠曲性高分子树脂、硬化剂及催化剂溶于该环氧树脂溶液,其中该挠曲性高分子树脂为一具羟基的高分子树脂、一具羧基的高分子树脂、一具烯丙基的高分子树脂、一具胺/氨基的高分子树脂或一脂肪链环氧树脂,以及(c)加入一SrTiO3及/或Ba(Sr)TiO3陶瓷粉体。
为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,作详细说明如下:
具体实施方式
本发明提提供一种挠曲性介电材料,包括陶瓷粉体,至少一种的挠曲性高分子树脂以及一热固性树脂,上述的挠曲性高分子树脂可作为一种柔软剂,以改善基材过脆无法加工的问题。
本发明所述的陶瓷粉体为一种高介电瓷粉体,例如,SrTiO3及/或 Ba(Sr)TiO3陶瓷粉体,陶瓷粉体的粒径为约0.03-2μm,较佳为0.1-0.8μm,且此陶瓷粉体占该基板全部重量的20-80%(wt%),较佳为50-77wt%。
在另一实施例中,本发明的陶瓷粉体可掺杂一或多种金属离子,例如,钙离子、镁离子、锆离子或铋离子等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810008114.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C08L 高分子化合物的组合物
C08L29-00 具有1个或更多的不饱和脂族基化合物的均聚物或共聚物的组合物,每个不饱和脂族基只有1个碳-碳双键,并且至少有1个是以醇、醚、醛、酮、醛缩醇或酮缩醇基为终端;不饱和醇与饱和羧酸的酯水解的聚合物的组合物;此
C08L29-02 .不饱和醇的均聚物或共聚物
C08L29-10 .不饱和醚的均聚物或共聚物
C08L29-12 .不饱和酮的均聚物或共聚物
C08L29-14 .由不饱和醛缩醇或酮缩醇聚合,或由不饱和醇聚合物经后处理得到的醛缩醇或酮缩醇的均聚物或共聚物
C08L29-04 ..聚乙烯醇;部分水解的不饱和醇与饱和羧酸的酯的均聚物或共聚物