[发明专利]形成光刻胶层压基板、电镀绝缘基板、电路板金属层表面处理及制造多层陶瓷电容器的方法

权利要求书

1. 一种用于形成光刻胶层压基板的方法，包括：

制备具有绝缘基板和金属层的层压基板；

在所述金属层上用金属纳米颗粒的气溶胶进行涂覆；以及

在涂覆有金属纳米颗粒的所述气溶胶的所述金属层上层压光刻胶膜。

2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属纳米颗粒的直径是0.001至10μm。

3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述气溶胶中的所述金属纳米颗粒之间的间距是0.001至20μm。

4. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属纳米颗粒是选自由铜、铝、镍、锡、铂、钯、银、金、钛、钽、钨、以及它们的合金组成的组中的至少一种。

5. 根据权利要求1所述的方法，其中，在所述用金属纳米颗粒的气溶胶进行涂覆中施加电场以均匀地涂覆。

6. 根据权利要求1所述的方法，其中，在所述用金属纳米颗粒的气溶胶进行涂覆中通过热喷雾法和冷喷雾法中的一种方法来涂覆金属纳米颗粒的所述气溶胶。

7. 一种用于电镀绝缘基板的方法，包括：

制备绝缘基板；以及

通过用金属纳米颗粒的气溶胶涂覆在所述绝缘基板的一个面上来形成金属种子层。

8. 根据权利要求7所述的方法，其中，所述绝缘基板由陶瓷材料和半导体材料中的一种制成。

9. 根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属纳米颗粒的直径是0.001至10μm。

10. 根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属种子层的厚度是0.01至200μm。

11. 根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属纳米颗粒是选自由铜、铝、镍、锡、铂、钯、银、金、钛、钽、钨、以及它们的合金组成的组中的至少一种。

12. 根据权利要求7所述的方法，其中，在所述用金属纳米颗粒的气溶胶进行涂覆中施加电场以均匀地涂覆。

13. 根据权利要求7所述的方法，其中，在所述用金属纳米颗粒的气溶胶进行涂覆中通过热喷雾法和冷喷雾法中的一种方法来涂覆金属纳米颗粒的所述气溶胶。

14. 根据权利要求7所述的方法，进一步包括在所述金属种子层上通过电镀来形成金属电镀层。

15. 根据权利要求7所述的方法，进一步包括在所述金属种子层上形成电路图案。

16. 根据权利要求15所述的方法，其中，所述形成电路图案包括层压光刻胶膜、曝光、显影、电镀、剥离以及蚀刻。

17. 根据权利要求7所述的方法，进一步包括通过用金属纳米颗粒的所述气溶胶涂覆在所述金属种子层上来形成后膜以及形成电路图案。

18. 根据权利要求17所述的方法，其中，所述形成电路图案包括层压光刻胶膜、曝光、显影、蚀刻以及剥离。

19. 一种用于电路板的金属层的表面处理的方法，包括：

制备具有绝缘基板和层压在所述绝缘基板上的金属层的电路板；

通过用金属纳米颗粒的第一气溶胶涂覆而在所述金属层上形成第一金属层；以及

通过用金属纳米颗粒的第二气溶胶涂覆而在所述第一金属层上形成第二金属层。

20. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述金属层是铜层或铜合金层。

21. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一气溶胶和所述第二气溶胶的每一种中的所述金属纳米颗粒是独立地选自由铜、铝、镍、锡、铂、钯、银、金、钛、钽、钨、以及它们的合金组成的组中的至少一种，并且所述第一气溶胶中的所述金属纳米颗粒不同于所述第二气溶胶中的所述金属纳米颗粒。

22. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一气溶胶中的所述金属纳米颗粒是镍纳米颗粒，而所述第二气溶胶中的所述金属纳米颗粒是金纳米颗粒。

23. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一气溶胶中的所述金属纳米颗粒的直径是0.001至2μm，而所述第一金属层的厚度是0.01至20μm。