[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环和基座有效
| 申请号： | 200810001388.1 | 申请日： | 2004-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101303997A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 远藤升佐;岩渕纪之;加藤茂昭;大久保智也;广瀬润;长仓幸一;輿水地盐;传宝一树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/205;H01L21/3065;C23F4/00;C30B25/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 聚焦 基座 | ||
1.一种等离子体处理装置，包括：
一个基座，具有一个静电卡盘，在其上载置一个要进行等离子体处理的被处理体，和一个聚焦环，其具有一个与所述静电卡盘接触的接触部分；
其特征在于，所述聚焦环具有介电材料部分，该介电材料部分形成与所述静电卡盘接触的所述接触部分；和导体材料部分，该导体材料部分隔着所述介电材料部分而面向所述静电卡盘
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述介电材料部分在所述聚焦环的径向具有一个固定厚度。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述介电材料部分由构成所述导体材料部分的材料的氧化物组成。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，构成所述导体材料部分的材料是硅。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，构成所述介电材料部分的材料是二氧化硅。
6.一种聚焦环，其特征在于，具有一个与静电卡盘接触的接触部分，在静电卡盘上载置一个要进行等离子体处理的被处理体，该聚焦环包括：
介电材料部分，其形成与所述静电卡盘接触的所述接触部分；和
导体材料部分，其隔着所述介电材料部分而面向所述静电卡盘。
7.一种基座，包括：
一个静电卡盘，在其上载置一个要进行等离子体处理的被处理体；和
一个聚焦环，其具有一个与所述静电卡盘接触的接触部分，
其特征在于，所述聚焦环具有介电材料部分，该介电材料部分形成与所述静电卡盘接触的所述接触部分；和导体材料部分，该导体材料部分隔着所述介电材料部分而面向所述静电卡盘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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