[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，

具有：

半导体基板，

绝缘膜，其形成在半导体基板上方，

第一导电性插件，其形成在上述绝缘膜内，

第二导电性插件，其形成在上述绝缘膜内，

电容元件，其具有电容下部电极、介电膜、电容上部电极，所述电容下 部电极与所述第一导电性插件的一侧的端部相连接，并且所述电容下部电极 由形成在所述绝缘膜上的第一阻挡金属膜构成，所述介电膜形成在所述电容 下部电极的上表面以及侧面上，所述电容上部电极由第二阻挡金属膜、主导 电膜及第三阻挡金属膜构成，所述第二阻挡金属膜形成在所述介电膜之上且 比所述电容下部电极及所述介电膜宽阔，

布线，其形成在所述绝缘膜上，并且与所述第二导电性插件的一侧的端 部相连接；

在所述介电膜的上表面上形成有导电性保护膜，该导电性保护膜的上表 面以及侧面与所述电容上部电极的下表面接合，

所述布线包括第一层和第二层，所述第一层由所述第一阻挡金属膜构 成，所述第二层由所述第二阻挡金属膜、所述主导电膜及所述第三阻挡金属 膜构成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述电容上部电极的外周缘延伸扩展到所述介电膜的外周缘的外侧。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

包括侧壁，该侧壁形成在所述电容下部电极的侧面，而且，该侧壁具有 连续地越向外侧越低的斜面。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二阻挡金属膜包括形成在所述绝缘膜的表面上的紧贴膜。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，包括：

在所述电容元件的侧方，形成在所述绝缘膜内的第三导电性插件；

形成在所述第三导电性插件之上且具有所述第二阻挡金属膜、所述主导 电膜及所述第三阻挡金属膜的布线。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

在所述电容元件的侧方，具有形成在所述绝缘膜内的熔丝以及覆盖所述 熔丝的至少一部分的保护图案，该保护图案由与形成所述电容下部电极的材 料相同的导电膜形成。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

具有在所述绝缘膜内的槽和其上下连续形成的裂纹阻止膜，所述裂纹阻 止膜的一部分包括所述第一阻挡金属膜和所述第二阻挡金属膜、所述主导电 膜及所述第三阻挡金属膜。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

在半导体基板上的绝缘膜内形成第一导电性插件和第二导电性插件的 工序，

在所述绝缘膜上形成由第一阻挡金属膜构成的第一金属膜的工序，

对所述第一金属膜刻画图案，从而形成与形成在所述绝缘膜内的第一导 电性插件的一侧的端部相连接的电容下部电极的工序，

对所述第一金属膜刻画图案，从而形成与所述第二导电性插件的一侧的 端部相连接的布线的第一层的工序，

在所述电容下部电极的上表面和侧面以及所述绝缘膜上形成介电膜的 工序，

在所述介电膜上形成导电性保护膜的工序，

对所述介电膜刻画图案，从而形成覆盖所述电容下部电极的所述上表面 以及侧面的形状的电容介电膜的工序，

在对所述介电膜刻画图案之前，对所述导电性保护膜刻画图案，从而将 图案刻画为覆盖所述电容介电膜的上表面的形状的工序，

在所述导电性保护膜、所述第一层、所述电容介电膜及所述绝缘膜上形 成由第二阻挡金属膜、主导电膜及第三阻挡金属膜构成的第二金属膜的工 序，

对所述第二金属膜刻画图案，从而形成至少覆盖所述导电性保护膜的上 表面的电容上部电极的工序，

对所述第二金属膜刻画图案，从而在所述布线的所述第一层上形成第二 层的工序。