[发明专利]涂有填充的、可旋涂的材料的半导体晶片有效
申请号: | 200780050576.7 | 申请日: | 2007-01-31 |
公开(公告)号: | CN101601122A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | C·尤恩苏克 | 申请(专利权)人: | 汉高股份两合公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/08 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民;路小龙 |
地址: | 德国杜*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 填充 可旋涂 材料 半导体 晶片 | ||
技术领域
本发明涉及在无源或背面的表面上涂有填充的、可旋涂的 涂料的半导体晶片。
发明背景
半导体封装最近的进展已经引起“叠层”封装的发展,在 “叠层”封装中两个或更多个半导体管芯在单个半导体封装中被安装 在相互的顶部上。这种管芯的堆叠能够使小区域(footprint)的功能增加, 使整个半导体封装的尺寸减小。通常,粘合膏或膜被用在两个半导体 管芯之间,以确保在制造操作诸如引线键合、成型和回流焊接期间, 以及最终使用期间封装的完整性。
存在多种以叠层构造组装封装的方法。每个管芯包含许多 电端子(electrical terminals),金属线——通常是金——从这些电端子 延伸到衬底上的电端子。在叠层封装中,来自一个管芯的引线键合(wire bonds)必须避免与邻近的管芯接触和避免给邻近的管芯造成损害。另 外,用于将管芯粘合到衬底和/或相互粘合的粘合剂一定不要侵占引线 键合盘。因为,一般而言,封装移向更紧的公差(tighter tolerances),特 别是在叠层封装中,因此需要非常严密地控制粘合剂的圆角(fillet), 粘合剂圆角通常从被粘合管芯的边缘突出。
一种已被用于控制键合用粘合剂(bonding adhesive)流动 的方法是利用胶带或薄膜而不是膏状粘合剂。在该方法中,胶带或薄 膜粘合剂被施加至衬底或管芯中的一个上。当被施加至管芯时,粘合 膜可以首先被粘附至晶片,然后再被单粒化成管芯,或可以直接将其 施加至先前已单粒化的管芯。然后,通过使用热和压力,将该管芯粘 附至其衬底并被粘合。这提供叠层封装所需的流动特征,其中圆角在 管芯四周形成最小。然而,胶带和薄膜与传统的膏状管芯附着用粘合 剂相比非常昂贵,会优选使用膏状或液体型粘合剂,该粘合剂可被施 加到晶片,然后被部分固化或干燥(B-阶处理),以能够进一步加工。
一种涂布晶片的已知方法是旋涂。这种方法具有快速的优 点并且已被成功用于包含最少填料通常小于10wt%的粘合剂。然而, 为了很多目的,包括降低应力;控制模量或热膨胀系数;减小吸湿性; 通过提高粘结强度(cohesive strength)、电和/或热导率来强化材料; 减小挥发性和流动控制,更高的填料荷载量是期望的。尽管可用于这 些功能,但是更高的填料荷载量可能导致涂料厚度的均匀性丧失,并 导致晶片中心的涂料比外缘的涂料厚。对于目前后续的加工步骤,包 括切割和管芯附着,这种涂料厚度均匀性的缺乏是不期望的。
本发明通过提供涂有填充的(有填料的)、可旋涂的材料 的半导体晶片——该材料具有良好的涂料厚度均匀性,提供上述问题 的解决方案。
发明概述
本发明是半导体晶片,其包含具有有源面和与有源面相反 的背面的半导体晶片,以及布置在晶片背面的涂料,所述涂料包含(a) 树脂体系和(b)球形填料,所述球形填料具有大于2μm的平均粒径和 单峰粒度分布。
在另一实施方式中,本发明是生产可旋涂的、可B阶处理 的具有1.2或更小的触变指数的涂料的方法,其包含(a)提供树脂体 系,该树脂体系包含(i)固体环氧树脂和(ii)选自以下的液体:单官 能丙烯酸酯单体、有机溶剂或这些的组合,以及(b)添加到树脂中的 10wt%至30wt%的球形填料,该填料具有大于2μm的平均粒径和单峰 粒度分布。
在另一实施方式中,本发明是生产涂布半导体晶片的方法, 其中半导体晶片具有有源面和与有源面相反的背面,其包含(a)提供 涂料组合物,该涂料组合物包含(i)固体环氧树脂和(ii)选自以下的 液体:单官能丙烯酸酯单体、有机溶剂或这些的组合,以及(iii)10wt% 至30wt%的球形填料,该球形填料具有大于2μm的平均粒径和单峰粒 度分布;(b)在晶片背面上旋涂该涂料组合物;以及(c)B阶处理该 涂料。
定义
如本文所用,术语“烷基”是指有支链的或无支链的1至 24个碳原子的饱和烃基团,例如甲基(“Me”)、乙基(“Et”)、正丙基、 异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、辛基、癸基及类似基团。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造