[发明专利]涂有填充的、可旋涂的材料的半导体晶片有效
申请号: | 200780050576.7 | 申请日: | 2007-01-31 |
公开(公告)号: | CN101601122A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | C·尤恩苏克 | 申请(专利权)人: | 汉高股份两合公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/08 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民;路小龙 |
地址: | 德国杜*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 填充 可旋涂 材料 半导体 晶片 | ||
1.半导体晶片,其具有有源面和与有源面相反的背面,其中所述 背面涂有涂料,所述涂料包含(a)树脂和(b)球形填料,所述球形 填料具有大于2μm的平均粒径和单峰粒度分布。
2.权利要求1所述的半导体晶片,其中所述涂料的厚度在12至 60μm之间。
3.权利要求1所述的半导体晶片,其中所述球形填料以所述涂料 的10wt%至30wt%之间的量存在。
4.权利要求1所述的半导体晶片,其中所述树脂选自:固体环氧 树脂、液体环氧树脂、丙烯酸酯树脂、甲基丙烯酸酯树脂、马来酰亚 胺树脂、乙烯醚树脂、聚酯树脂、聚(丁二烯)树脂、硅化烯烃树脂、有 机硅树脂、苯乙烯树脂和氰酸酯树脂及那些中的两种或更多种的组合。
5.权利要求1所述的半导体晶片,其中所述树脂包含(i)固体环 氧树脂和(ii)选自以下的液体:单官能丙烯酸酯单体、有机溶剂或这 些的组合。
6.权利要求5所述的半导体晶片,其中所述液体以所述涂料的15 wt%至50wt%之间的量存在。
7.权利要求5所述的半导体晶片,其中所述单官能丙烯酸酯单体 是丙烯酸异冰片酯。
8.权利要求5所述的半导体晶片,其中所述有机溶剂选自4-羟基 丁基丙烯酸酯缩水甘油醚、甲基·乙基酮和二甘醇一乙醚乙酸酯。
9.权利要求5所述的半导体晶片,其中所述固体环氧树脂以所述 涂料的15wt%至30wt%之间的量存在。
10.权利要求5所述的半导体晶片,其中所述固体环氧树脂是甲酚 酚醛清漆环氧树脂。
11.生产可旋涂的、可B阶处理的具有1.2或更小的触变指数的涂 料的方法,其包括:
a.提供固体环氧树脂,
b.将所述固体环氧树脂溶于液体中形成溶液,其中所述液体选自 单官能丙烯酸酯单体、有机溶剂或两者的组合,以及
c.将10wt%至30wt%的球形填料混入所述液体溶液中,所述球形 填料具有大于2μm的平均粒径和单峰粒度分布。
12.生产涂布半导体晶片的方法,其中所述半导体晶片具有有源面 和与所述有源面相反的背面,所述方法包括:
a.提供涂料组合物,其包含(i)固体环氧树脂和(ii)选自以下 的液体:单官能丙烯酸酯单体、有机溶剂或其组合,以及(iii)10wt% 至30wt%的球形填料,所述球形填料具有大于2μm的平均粒径和单峰 粒度分布;
b.将所述涂料组合物旋涂在所述晶片的所述背面上;以及
c.B阶处理所述涂料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造