[发明专利]半导体树脂模塑用脱模膜

说明书

技术领域

本发明涉及半导体树脂模塑(mold)用脱模膜，特别涉及模具随动性特别优良且可降低模具污染的半导体树脂模塑用脱模膜。

背景技术

通常，为了将半导体元件(芯片)从外部环境(外界气体、污染物质、光、磁、高频波、冲击等)中保护、隔离起来，用树脂(模塑树脂)将其密封，以将芯片收容于内部的半导体封装的形态安装于基板。具有代表性的是通过传递成形而形成的半导体封装，所述传递成形是指将环氧树脂等热固性树脂(模塑树脂)加热熔融后，移送并填充至安装有半导体芯片的模具内，使其固化的成形。模塑树脂中，在添加固化剂、固化促进剂、填充剂等的同时，为确保成形后的半导体封装的从模具中顺畅的脱模性，还添加有脱模剂。

另一方面，随着人们对半导体封装的大幅度的生产性提高的需求，存在模塑树脂附着在模具上、需要频繁地清洗污染的模具的问题。此外，对于可应对大型半导体封装的成形的低收缩性模塑树脂，存在即使添加脱模剂也无法获得足够的脱模性的问题。因此，开发了使用树脂模塑用脱模膜(以下也简称为“脱模膜”)的技术，并取得了一定的成果(例如参照专利文献1～3等)，该技术是在用脱模膜被覆模具的树脂成形部(模腔面)的状态下将模塑树脂注入模具内，藉此在不使模塑树脂与模具的模腔面直接接触的情况下形成半导体封装。

然而，最近从应对环境问题的角度出发，半导体元件的封装中使用的模塑树脂正逐渐变为非卤化模塑树脂。此外，为了应对半导体的细间距(fine pitch)化、薄型化、叠层芯片封装化及适用于LED用途等，模塑树脂的低粘度化和液态树脂化更进了一层。因此，半导体元件的树脂模塑工序中，来源于高温环境下的熔融模塑树脂的气体和低粘度物质的产生量增大，并透过上述树脂模塑用脱模膜，因此气体和低粘度物质与高温的模具接触，模具污染变得严重。

此外，脱模膜在模具内表面的被覆是利用真空使该脱模膜吸附支持于模具内表面来进行的，但是脱模膜中的低聚物等挥发性成分可能会迁移至上述被吸附的模具侧，引起模具污染。

即使是在如上所述使用脱模膜的情况下，安装有膜的一侧的模具也容易被污染，此外，一旦发生了污染，就会产生为了模具的清洗而不得不停止半导体的模塑工序、使半导体的生产效率下降的问题。

另外，从该角度来看，上述专利文献1～2中记载了为减少透过的污染物质，在脱模膜的一面(与模具表面接触的面)形成金属或金属氧化物的蒸镀层的技术方案。然而，该金属蒸镀层等是通过直接与模具表面物理性地接触来使用的，金属粉末等易从膜表面或膜的切面剥离，其在半导体树脂模塑工序中的使用受到限制。

此外，专利文献1～2中，用二氧化碳气体的透过率来规定脱模膜的气体透过性，但其作为评价来源于模塑树脂等的低粘度物质等的透过性的指标并不妥当。

另外，虽然脱模膜被要求与模塑树脂间具有与以往相比更高的脱模性，但对于上述脱模膜，未就在模塑后的树脂表面产生脱模膜的脱模层的残渣的问题作任何考虑，且存在脱模性不足的问题。

此外，使用凹凸较大的形状的模具时，在进行树脂模塑前使脱模膜真空吸附于模具，所以该脱模膜被要求具有模具随动性，模具随动性是指可跟随模具的该凹凸充分延伸至与之对应的周长。

专利文献1：日本专利特开2002-361643号公报(权利要求书(权利要求1～权利要求3)，〔0002〕～〔0028〕)

专利文献2：日本专利特开2004-79566号公报(权利要求书(权利要求1～权利要求3)〔0002〕～〔0015〕)

专利文献3：日本专利特开2001-250838号公报(权利要求书(权利要求1～6)〔0002〕～〔0032〕)

发明的揭示

本发明的目的是提供基于上述背景被强烈要求开发的、与以往相比气体透过性足够低、由模塑树脂导致的模具污染少的半导体树脂模塑用脱模膜。

此外，本发明的目的是利用与作为模具污染物质的来源于树脂等的低粘度物质更实际地对应的气体透过率来规定有效地抑制该模具污染的脱模膜所必需的气体透过性。

本发明的目的还包括提供与模塑树脂间具有更高的脱模性的半导体树脂模塑用脱模膜。

本发明提供下述结构的半导体树脂模塑用脱模膜。