[发明专利]半导体树脂模塑用脱模膜

权利要求书

1.一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，该脱模膜至少具有脱模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)，其特征在于，所述塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为1MPa～50MPa，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为5×10^-15(kmol·m/(s·m²·kPa))以下，该脱模层(I)由氟树脂形成。

2.如权利要求1所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述氟树脂为乙烯/四氟乙烯系共聚物。

3.如权利要求1或2所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述塑料支持层(II)由乙烯/乙烯醇共聚物形成。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，脱模层(I)的厚度为3～75μm，塑料支持层(II)的厚度为1～700μm。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述脱模层(I)的厚度为6～30μm，塑料支持层(II)的厚度为6～200μm。

6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述脱模层(I)的厚度为6～30μm，塑料支持层(II)的厚度为10～100μm。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述膜的至少一面经过抛光加工。

8.如权利要求7所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述经过抛光加工的面的表面的算术表面粗糙度为0.01～3.5μm。

9.如权利要求7所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述经过抛光加工的面的表面的算术表面粗糙度为0.15～2.5μm。

10.如权利要求1～7中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述脱模层(I)和所述塑料支持层(II)之间具有粘接层，且脱模层(I)的被粘接的一侧的表面进行过表面处理。