[发明专利]半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 200780027926.8 | 申请日： | 2007-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101496142A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 冈哲史;能登宣彦 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/20 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
1.一种半导体基板的制造方法，其至少具备：
在单晶硅基板上，形成其锗浓度随着厚度而向表面增加的硅锗组成渐变层的工序；
在该硅锗组成渐变层上，形成其锗浓度为固定的硅锗组成固定层的工序；
平坦化该硅锗组成固定层的表面的工序；
除去该平坦化后的硅锗组成固定层表面上的自然氧化膜的工序；以及
在已除去该表面的自然氧化膜的硅锗组成固定层上，形成应变硅层的工序，其特征在于：
上述硅锗组成渐变层的形成与上述硅锗组成固定层的形成，是在高于800℃的温度T1进行；
上述硅锗组成固定层表面的自然氧化膜的除去，是在还原性气体环境下，于800℃以上且低于上述温度T1的温度T2，通过热处理而进行；
上述应变硅层的形成，是在500℃～700℃的温度T3下使用单硅烷进行；
在除去上述硅锗组成固定层表面的自然氧化膜的工序之后，且在形成应变硅层前，在已除去该自然氧化膜后的硅锗组成固定层表面上，形成硅覆盖层。
2.如权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，上述温度T1与上述温度T2的温差，为50℃以上。
3.如权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，上述硅锗组成渐变层的形成以及上述硅锗组成固定层的形成，是使用二氯硅烷与四氯化锗的混合气体、或是三氯硅烷与四氯化锗的混合气体来进行。
4.如权利要求2所述的半导体基板的制造方法，其中，上述硅锗组成渐变层的形成以及上述硅锗组成固定层的形成，是使用二氯硅烷与四氯化锗的混合气体、或是三氯硅烷与四氯化锗的混合气体来进行。
5.如权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，上述硅锗组成固定层表面的自然氧化膜的除去，是在减压的氢环境下进行。
6.如权利要求2所述的半导体基板的制造方法，其中，上述硅锗组成固定层表面的自然氧化膜的除去，是在减压的氢环境下进行。
7.如权利要求3所述的半导体基板的制造方法，其中，上述硅锗组成固定层表面的自然氧化膜的除去，是在减压的氢环境下进行。
8.如权利要求4所述的半导体基板的制造方法，其中，上述硅锗组成固定层表面的自然氧化膜的除去，是在减压的氢环境下进行。
9.如权利要求1～8所述的半导体基板的制造方法，其中，形成于上述硅锗组成固定层表面上的硅覆盖层，是使用单硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷与氯化氢的混合气体、以及三氯硅烷与氯化氢的混合气体中的任一种气体而形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
