[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

电路板，其包括板芯和堆积层；

半导体元件，通过金属凸块连接至所述电路板；以及

封装树脂组合物，其填充所述半导体元件和所述电路板之间的间 隙；其中

所述板芯的厚度至多为500μm；

所述板芯在平面方向上从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至 多为15ppm/℃；

所述板芯在厚度方向上从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至 多为18ppm/℃；

所述封装树脂组合物从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至少 为15ppm/℃、至多为30ppm/℃；并且

所述封装树脂组合物通过热机械分析仪分析的玻璃化转变温度 Tg(℃)满足公式75≤Tg＜112.5T+95，其中T(mm)为所述板芯 的厚度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述板芯的厚度至多为 200μm。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述堆积层在平面方向 上从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至多为35ppm/℃。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述封装树脂组合物通 过热机械分析仪分析的玻璃化转变温度Tg(℃)满足公式25T+75≤ Tg≤100T+95，其中T(mm)为所述板芯的厚度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电路板包括至少七 层堆积层，并且所述封装树脂组合物通过热机械分析仪分析的玻璃化 转变温度Tg(℃)满足公式75≤Tg≤75T+95，其中T(mm)为所 述板芯的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电路板包括至少四 层且至多六层堆积层，并且所述封装树脂组合物通过热机械分析仪分 析的玻璃化转变温度Tg(℃)满足公式25T+75≤Tg≤100T+95， 其中T(mm)为所述板芯的厚度。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

电路板，其包括板芯和堆积层；

半导体元件，通过金属凸块连接至所述电路板；以及

封装树脂组合物，其填充所述半导体元件和所述电路板之间的间 隙；其中

所述电路板包括至多三层堆积层；

所述板芯的厚度至多为500μm；

所述板芯在平面方向上从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至 多为15ppm/℃；

所述板芯在厚度方向上从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至 多为18ppm/℃；

所述封装树脂组合物从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至少 为15ppm/℃、至多为30ppm/℃；并且

所述封装树脂组合物通过热机械分析仪分析的玻璃化转变温度 Tg(℃)满足公式50T+75≤Tg＜125T+95，其中T(mm)为所述 板芯的厚度。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

电路板，其包括板芯和堆积层；

半导体元件，通过金属凸块连接至所述电路板；以及

封装树脂组合物，其填充所述半导体元件和所述电路板之间的间 隙；其中

所述板芯的厚度至多为500μm；

所述板芯是通过以树脂组合物浸渍纤维衬底并进行固化而形成 的，所述树脂组合物包括氰酸酯树脂、酚树脂、环氧树脂和无机填充 物；

所述封装树脂组合物从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至少 为15ppm/℃、至多为30ppm/℃；并且

所述封装树脂组合物通过热机械分析仪分析的玻璃化转变温度 Tg(℃)满足公式75≤Tg＜112.5T+95，其中T(mm)为所述板芯 的厚度。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

电路板，其包括板芯和堆积层；

半导体元件，通过金属凸块连接至所述电路板；以及

封装树脂组合物，其填充所述半导体元件和所述电路板之间的间 隙；其中

所述电路板包括至多三层堆积层；

所述板芯的厚度至多为500μm；

所述板芯是通过以树脂组合物浸渍纤维衬底并进行固化而形成 的，所述树脂组合物包括氰酸酯树脂、酚树脂、环氧树脂和无机填充 物；

所述封装树脂组合物从室温到玻璃化转变温度的热膨胀系数至少 为15ppm/℃、至多为30ppm/℃；并且

所述封装树脂组合物通过热机械分析仪分析的玻璃化转变温度 Tg(℃)满足公式50T+75≤Tg＜125T+95，其中T(mm)为所述 板芯的厚度。