[实用新型]为使光罩保持洁净的系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种使光罩可保持洁净度的技术领域，特别是涉及一种可减少外部环境微粒水气进入移转容器、且有效控制移转容器内环境的为使光罩保持洁净的系统，以达增加晶圆良率、提高生产量与降低成本之效。

背景技术

近年来，电子产品不断朝向轻薄短小、高频、高效能等特性发展，而欲满足这个产品发展的方向，用于电子产品中的核心晶片就需微小化与具有高效能，而欲使晶片微小化与具高效能，则需使晶片上的集成电路线径微细化，因此现有的集成电路线径已由早期的0.25微米发展至90～45纳米，而晶片上集成电路线径的微细化的成败主要在于半导体制程中的黄光微影制程技术，而其关键设备是在扫描步进机(Scanner)与光罩(Reticle)；

但目前光罩于制作、清洗、操作与储存、运输的过程中，不论是置于容置光罩的移转容器或无尘室的环境中，均存在有不少的微粒、水气、气体、化学溶剂分子等有害物质，这些有害物质会附着于光罩表面，且在经长时间储存或晶圆曝光制程的加热后，会于光罩表面产生微粒附着、结晶、又或雾化等现象，而直接影响到光罩于黄光微影制程中的透光率，进而使光罩上的图形失真，其会造成晶圆良率降低，且增加清理与改善的时间，造成生产量降低，相对上也会提高营运的成本；

因此，为了解决这个问题，业界开发有如美国专利第US 4,532,970号与美国专利第US 4,534,389号的晶圆、光置密闭移转系统，以确保周圆环境的微粒不致进入紧邻光罩与晶圆的环境中。但以其中光罩为例，造成光罩污损的原因除了微粒外，更进一步包含环境中的水气、有毒气体、塑胶制移载容器所释出的硫化物和制作光罩制程中残留或是光罩上图形材质本身释出的氨(NH₄)、以及光罩清洗过程中残留的化学分子等有害物质，以结晶为例，其化学式为(NH₄)₂SO₄，此一结晶物由前述不同原因释出的氨(NH₄)及硫酸根离子(SO₄)经高能量光源与环境水气等化合而成，因此经常发生光罩于清洗后，再经一段时间的储存后，只要一经黄光微影制程中的紫外线照射曝光就会产生结晶的现象；

而造成此一问题的主要原因来自于储存容器的气密性不足，使移载容器外的环境空气中的微粒、水分子不断的渗入，而提供其化学反应所需的元素。再者该移载容器主要是以塑胶制成，其材料会不断的释出硫化物等有害气体，且气体会渗透进入光罩，和光罩图形材质本身或是移载容器内氨气产生反应，造成有害物质附着于光罩正反两面与光罩护膜表面。又光罩护膜主要是以铝框为主，其需进行铝合金的硫酸阳极处理，使铝框表面产生硫酸根离子残留的问题。

故为了解决这些问题，业界开发有于移载容器上加装充、填气的结构，可将干净的惰性气体注入该移载容器内以挤出有害气体，同时进一步提升该移载容器的气密性，以防止外部微粒进入、且防止干净的惰性气体流失，如中国台湾专利公告第223680号及第I262164号等，其均在通过该移载容器结构的改变，来提高移载容器的气密性，但于结构上进行气密性的改良是一项重大的工程，不仅需要增加开发、制模与组装的成本，且受到材质、盖合力与接触面积等因素的影响，其并无法达到完全气密的效果，因此移载容器内的气体仍然会渐渐流失，由于微粒与水分子极小，因此移载容器在经长时间储存后，外部环境中的有害物质仍会进入该移载容器内，失去其保护作用。再者长时间的摆置移载容器材质和光罩图形材质中的有害物质仍会逐渐释出，其一样会造成光罩与光罩表面的污损、雾化与结晶等，进一步影响到晶圆加工的良率、产量与成本。

所以在目前的光罩管理系统中，不论是软件的设计、进出料的顺序与储存时间等，都需经过特别的设计，把握光罩早进早出的原则，且超过特定储存时间后，光罩并需重新经过清洗才能进入制程，无形间增加管理的不便，也提高其维持光罩洁净的成本。

换言之，如能提供一种可长时间维持移载中光罩洁净度的装置或系统，则不仅克服前述光罩清净后储存时的污损问题，增加光罩管理的便利性，且可有效达到提升良率、增加产量与降低成本之效。

有鉴于此，本实用新型即在于解决上述光罩无法长时间保持洁净的问题，而经由本设计人长期从事相关产业的研发与制作经验，经不断努力的改良，终于成功开发一种为使光罩保持洁净的系统，借以克服现有光罩无法长时间维持洁净度的问题，进一步提升光罩的洁净度。

发明内容