[发明专利]发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管。

背景技术

目前，发光二极管(Light Emitting Diode，L ED)因具光质佳(也即光源输出的光谱)及发光效率高等特性而逐渐取代冷阴极荧光灯(Cold Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)作为照明装置的发光元件，具体可参见Michael S.Shur等人在文献Proceedingsof the IEEE，Vol.93，No.10(2005年10月)中发表的“Solid-StateLighting：Toward Superior Illumination”一文。

请参见图1，一种白光发光二极管10包括一个反光杯11，一个发光二极管芯片12及用于封装该发光二极管芯片12的封装体13。该反光杯11包括一容置槽110，及正电极111、负电极112。该容置槽110包括用于容置该发光二极管芯片12的底部1102，用于反射该发光二极管芯片12发出的光线的侧壁1104，及与该底部112相对的开口1106。该正电极14与负电极15设置在该容置槽110的底部1102，其用于与外部电源电连接。该发光二极管芯片12设置在该正电极111上且与该正电极111及负电极112打线连接。该封装体13设置在该容置槽110中且其中含有荧光粉132，该荧光粉132分布在该发光二极管芯片12的周围。在此，该发光二极管芯片12发出的蓝光可直接激发该荧光粉132以产生黄光，从而与剩余的蓝光混光而形成白光。该荧光粉132直接分布在该发光二极管芯片12的周围有利于混光并在一定程度上提高发光二极管10的出光均匀度，然而当该发光二极管10工作时，其温度通常会达到70～80度，这样的高温很容易使该荧光粉132的效率降低，造成发光二极管10的出光效率及均匀度降低。因此，有必要提供一种出光均匀度较佳的发光二极管。

发明内容

以下将以实施例说明一种出光均匀度较佳的发光二极管。

一种发光二极管，其包括一个反光杯，至少一个发光二极管芯片及多个电极，该反光杯包括一本体及设置在该本体上的容置槽，该多个电极设置在该本体上且位于该容置槽的底部，该至少一个发光二极管芯片设置在该容置槽中并与该多个电极电连接。该发光二极管还包括一第一散射层、一第二散射层及一光转换层，该第一散射层设置在该容置槽中且覆盖该至少一发光二极管芯片，该光转换层设置在该第一散射层的远离该至少一发光二极管芯片的一侧。该第二散射层设置在该光转换层的远离该至少一发光二极管芯片的一侧。该第一散射层包括第一透明基材及分布在该第一透明基材中的散射粒子，该光转换层包括第二透明基材及分布在该第二透明基材中的荧光粉，该第二散射层包括第三透明基材及均匀分布在该第三透明基材中的散射粒子。该第二透明基材的折射率小于或等于该第一透明基材的折射率，该第三透明基材的折射率小于或等于该第二透明基材的折射率。

相对于现有技术，所述发光二极管包括第一散射层及光转换层，该第一散射层覆盖该至少一发光二极管芯片且其中含有散射粒子，该散射粒子可将该至少一发光二极管芯片射出的光均匀的散射，从而使从该第一散射层出射的激发光具有良好的均匀度，该均匀的激发光经该光转换层转换后可进一步的产生均匀度较佳的白光。

附图说明

图1是一种现有的发光二极管的剖面示意图。

图2是本发明第一实施例发光二极管的剖面示意图。

图3是图2中发光二极管中第二填充层的出光面为沿远离发光二极管芯片的方向凸设的凸曲面的剖面示意图。

图4是图2中发光二极管中第二填充层的出光面为向发光二极管芯片凹设的凹曲面的剖面示意图。

图5是本发明第二实施例发光二极管的剖面示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的详细说明。

请参见图2，本发明第一实施例提供的发光二极管20，其包括一个反光杯21，一个发光二极管芯片22，一个第一电极23，一个第二电极24，一第一散射层25及一光转换层26。

该反光杯21包括一本体210及设置在该本体210上的容置槽212。该本体210包括一基底2102，一设置在该基底2102上的环形侧壁2104，该容置槽212由该基底2102与该环形侧壁2104围成。该环形侧壁2104的内表面用于反射光线。该容置槽212为锥形，且其开口沿远离该发光二极管芯片22的方向逐渐变大。