[发明专利]电子线路装置及其制造方法无效
申请号: | 200710196951.0 | 申请日: | 2002-01-15 |
公开(公告)号: | CN101197358A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 登一博;池田敏;加藤康司;中岛康文 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/488;H01L23/49;H01L23/492;H01L23/367 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王玮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子线路 装置 及其 制造 方法 | ||
本申请是2002年1月15日递交的PCT申请PCT/JP02/00167(国家申请号:02800119.2)的分案申请,并要求如下优先权:
2001年1月17日递交的日本专利申请2001-8823。
技术领域
本发明涉及一种用半导体元件如IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、二极管等驱动马达的电源控制系统的电子线路装置,及该电子线路装置的制造方法。
背景技术
近来,随着马达驱动设备中的电子装置性能和功能的提高,马达驱动设备中的工作电流也增加了,需要使用半导体来处理高电流。图16中示出了常规使用的马达驱动设备。以下参考图说明常规使用的马达驱动设备的例子。
在图16中,附图标记分别表示:1a是IGBT;1b是二极管;3是高温焊接剂;4是金属元件;5是密封树脂;6是焊接剂;7是电路板;10是热辐射板;10a是突起的螺钉座;11是螺钉;12是放置了电子元件(无源元件)的表面;13是放置了电子元件(半导体元件)的表面;14是金属基底电路板;15是硅脂;18是金属丝;19是金属导线;22是凸连接器;23是凹连接器;24是绝缘树脂。
下面论述制造这种结构常规马达驱动设备的方法。
IGBT1a、二极管1b等半导体元件1由高温焊接剂3连接到金属元件4上。IGBT1a与二极管1b之间、半导体元件1与金属导线19之间用金属丝18电连接。金属丝18通常为铝丝或金丝。使用铝等形成的金属丝18时,金属丝18采用铝线楔形结合连接到半导体元件1的第二电极。第二电极与半导体元件1的第一电极相对,连接到金属元件4上。半导体元件1的第二电极由铝制成。在常温下用超声波能量将第二电极与金属丝彼此压接到一起时,可去除第二电极和金属丝18铝表面的氧化膜。第二电极与金属丝18就这样连接到一起。连接到半导体元件1第二电极的金属丝18伸向在铜上镀锡得到的金属导体19,通过楔形结合的方法连接到金属导体19上。
其后,为了完好地保护半导体元件1和金属丝18并提高可靠性,对半导体元件1和金属丝18涂层,并用传递成型技术或注射成型技术以密封树脂5将它们密封。弯曲并模切金属导线19,使它与金属元件4变平(even)。通过这样顺序的步骤,可得到名为“TO-220”的电子元件,它包含有半导体元件1、高温焊接剂3、金属元件4、金属丝18、金属导线19和密封树脂5。
在焊接糊剂印制到金属基电路板14上之后,可在金属基电路板上放置各种元件,如上述电子元件“TO-220”、凸连接器22等。将整个金属基电路板放入加热炉,焊接糊剂就会熔化。回到常温后焊接糊剂凝固。凝固的焊接剂6将电子元件“TO-220”、凸连接器22等各种电子元件完全电连接到金属基电路板14上。
为了提供电绝缘,在整个金属基电路板14上使用了密封树脂24。带有各种电子元件的金属基电路板14放入减压炉,去除混入密封树脂24内部的气泡,然后放入加热表面(heating surface)使密封树脂24凝固。
接着,在热辐射板10上使用硅脂15。金属基电路板14紧密接触到热辐射板10,并由螺钉固定。然后,将凸连接器22放置在金属基电路板14上和将凹连接器23放置在电路板7上之后,将凸连接器22插入凹连接器23中,这样电路板7就紧密地接触到突起的螺钉座10a,并由螺钉11固定。
在上述的方式中,完成了将包括电子元件“TO-220”的电子元件放置在金属基电路板14上,用于控制转换马达驱动电流和热辐射需求的过程;组合含有用于控制电子元件“TO-220”的电路的电路板7和无需热辐射的过程。
上述的安排,会因金属丝18和金属导线19的电阻产生损耗,因丝18和导线19的长度产生杂散电感。此外,电子元件“TO-220”装备有金属导线19,因此要求金属基电路板14的面积比电子元件“TO-220”的面积大,这就妨碍了微型化和高密度装配。
同时,用于电子产品之类的马达驱动设备也要求紧凑和高效热辐射,以适应当前电子产品结构更轻、更薄、更小巧的趋势。如果高温焊接剂3内部出现了气泡,气泡会妨碍半导体元件1产生的热传递,因而增加了半导体元件1和金属元件4之间的电阻。结果,只有气泡部分的温度升高,最糟的情况会导致半导体元件1破裂。
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