[发明专利]闪存结构的制备方法

权利要求书

1、一种闪存结构的制备方法，包含下列步骤：

形成多个介电区块于基板上；

形成多个第一间隙壁于所述多个介电区块的侧壁；

局部去除未被所述多个第一间隙壁及所述多个介电区块覆盖的基板以形成多个第一沟槽于所述基板之中；

进行一沉积工艺以形成填满所述第一沟槽的隔离介电层；

去除所述多个介电区块；

形成多个第二间隙壁于所述多个第一间隙壁的侧壁；以及

局部去除未被所述第一间隙壁、所述第二间隙壁及所述隔离介电层覆盖的基板以形成多个第二沟槽于所述基板之中。

2、根据权利要求1的闪存结构的制备方法，其中所述基板包含硅基板以及设置于所述硅基板上的介电结构，而所述第一沟槽的底部形成于所述硅基板之中。

3、根据权利要求1的闪存结构的制备方法，其中形成多个第一间隙壁于所述多个介电区块的侧壁的步骤包含：

形成间隙壁介电层，其覆盖所述基板及所述多个介电区块；以及

进行蚀刻工艺，局部去除所述间隙壁介电层以形成所述多个第一间隙壁。

4、根据权利要求3的闪存结构的制备方法，其中所述介电区块包含氮化硅，所述间隙壁介电层包含氧化硅。

5、根据权利要求1的闪存结构的制备方法，其中所述多个介电区块的宽度相等，且以等间距方式形成于所述基板上。

6、根据权利要求1的闪存结构的制备方法，其中所述多个介电区块的宽度等于其间距。

7、根据权利要求1的闪存结构的制备方法，其中所述第一间隙壁及所述介电区块构成第一蚀刻掩模，其宽度大于间距。

8、根据权利要求1的闪存结构的制备方法，其中所述第一间隙壁、所述第二间隙壁及所述隔离介电层构成第二蚀刻掩模，其宽度大于间距。

9、根据权利要求1的闪存结构的制备方法，其中所述第一间隙壁及所述介电区块构成具有多个第一开口的所述第一蚀刻掩模，所述第一间隙壁、所述第二间隙壁及所述隔离介电层构成具有多个第二开口的所述第二蚀刻掩模，所述第二开口形成于所述第一开口之间。

10、根据权利要求1的闪存结构的制备方法，其中所述第一沟槽的宽度小于所述介电区块的宽度。

11、一种闪存结构的制备方法，包含下列步骤：

形成多个介电区块于基板上；

形成多个第一间隙壁于所述多个介电区块的侧壁；

局部去除未被所述第一间隙壁及所述介电区块覆盖的基板以形成多个第一凹部于所述基板之中；

进行第一掺杂工艺以形成多个第一掺杂区于所述第一凹部底部的基板中；

进行沉积工艺以形成填满所述第一凹部的隔离介电层；

去除所述多个介电区块；

形成多个第二间隙壁于所述多个第一间隙壁的侧壁；

局部去除未被所述第一间隙壁、所述第二间隙壁及所述隔离介电层覆盖的所述基板以形成多个第二凹部于所述基板之中；以及

进行第二掺杂工艺以形成多个第二掺杂区于所述第二凹部底部的所述基板中。

12、根据权利要求11的闪存结构的制备方法，其中所述基板包含硅基板以及设置于所述硅基板上的介电结构，而所述第一凹部的底部形成于所述介电结构之中。

13、根据权利要求11的闪存结构的制备方法，其中形成多个第一间隙壁于所述多个介电区块的侧壁的步骤包含：

形成间隙壁介电层，其覆盖所述基板及所述多个介电区块；以及

进行蚀刻工艺，局部去除所述间隙壁介电层以形成所述多个第一间隙壁。

14、根据权利要求13的闪存结构的制备方法，其中所述介电区块包含氮化硅，所述间隙壁介电层包含氧化硅。

15、根据权利要求11的闪存结构的制备方法，其中所述多个介电区块的宽度相等，且以等间距方式形成于所述基板上。

16、根据权利要求11的闪存结构的制备方法，其中所述多个介电区块的宽度等于其间距。

17、根据权利要求11的闪存结构的制备方法，其中所述第一间隙壁及所述介电区块构成第一蚀刻掩模，其宽度大于间距。