[发明专利]用于存储器的组合读/写电路

说明书

技术领域

本发明一般涉及存储器装置，更具体地涉及存储器装置中与读和写电路结合的电路，以及与其相关的方法。

背景技术

在传统存储器装置中，特别在传统的半导体装置中，通常区分为功能性存储装置(例如，PLA，PAL等)和嵌入式存储装置(tablememory device)。例如，一些嵌入式存储装置包括诸如PROM、EPROM、EEPROM、闪存等的ROM(只读存储器)装置和诸如DRAM和SRAM的RAM(随机存储装置或读写存储器)装置。

在SRAM(静态随机存取存储器)的情况下，单个的存储单元包括例如配置为交叉连接锁存器的六个晶体管。在DRAM(动态随机存取存储器)的情况下，通常仅采用一个单一的对应受控电容元件(例如，MOSFET的栅-源电容)，其中电荷可以存储在电容中。然而，DRAM中的电荷只能保持很短的时间，必须执行周期刷新以维持数据状态。与DRAM相反，SRAM不需要刷新，并且存储在存储单元中的数据在SRAM被提供适当的供电电压的情况下就能存储。SRAM和DRAM都被称作易失性存储器，其中数据状态仅在向其供电时保持。

与易失性存储器相比，非易失性存储器(NVM)，例如EPROM、EEPROM和闪存，表现出不同的特性，即使在与其相关的供电电压被切断的情况下，其所存储的数据也能保持。这种类型的存储器对于各种移动通信装置来说具有很多优点，例如，在移动电话上的电子罗拉代克斯(rolodex)中，存储在其中的数据即使在移动电话关机时也能保持。

近来开发的一种非易失性存储器被称作阻抗或阻性切换存储装置。在这种阻抗存储器中，通过适当的切换处理来将位于两个适当电极(即，阳极和阴极)之间的存储材料布置在或多或少的导电状态上，其中，较多的导电状态对应于逻辑“1”，以及较少的导电状态对应于逻辑“0”(反之亦然)。合适的阻抗存储器可以是例如钙钛矿存储器(如W.W.Zhuamg等人的“Novell ColossalMagnetoresistive Thin Film Nonvolatile Resistance Random AccessMemory(RRAM)”IEMD 2002中所描述的)、二元氧化物阻抗开关(OxRAM)(例如，I.G.Baek等人的”Multi-layer crosspoint binaryoxide resistive(OxRAM)for post-NAND storage application”，IEDM2005中所描述的)，相变存储器(PCRAM)和导电桥接RAM(CBRAM)。

在相变存储器的情况下，适当的硫属化合物(例如，GeSbTe或AgInSbTe化合物)可以作为放置在两个相应电极之间的活性材料。硫属化合物材料可以通过适当的切换处理成非晶布置，即，相对较弱导电，或结晶布置，即，相对较强导电状态，并因此作为不同的阻抗元件，如上所述可以作为不同数据状态。

为了实现从非晶状态到结晶状态的相变材料的变化，适当的加热电流提供给电极，其中电流加热相变材料使其温度超过结晶温度。该操作有时被称作SET(置位)操作。类似地，从结晶状态到非晶状态的相变是通过应用适当的加热电流脉冲来实现的，其中，相变材料被加热以使其温度超过其融合温度，并且在其快速冷却过程中获得非晶状态。该操作有时被称作RESET(复位)操作。SET操作和RESET操作的结合是数据被写入相变存储单元的一种方法。

发明内容

下面简单的概述是为了提供对本发明的一个或多个方面的基本理解。此概述不是本发明的扩展概述，也不意图确定本发明的关键和重要的部分，更不用于描述本发明的范围。相反，概述的主要目的是以简洁的形式呈现本发明的一些概念，并作为以下具体实施方式的前续部分。

本发明旨在提供一种存储装置，其包括存储单元的成行列布置的阵列部。提供了一种组合读/写电路，其与阵列部中的每条相应位线相关联，被配置为从与每条相应的位线相关联的存储单元读取或向与每条相应的位线相关联的存储单元写入。还提供了一种寻址存储器的方法，该方法包括使用单独与每个位线相相关的组合读/写电路寻址与位线相关联的存储单元。

下面的说明和附图具体描述了本发明的示例性方面和实施例。仅用几种方式表示了本发明的原理。

附图说明

图1是示出了根据本发明的实施例的存储器结构的框图；以及

图2是示出了根据本发明的另一实施例的存储器结构的示意图。

具体实施方式