[发明专利]用于存储器的组合读/写电路

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

存储单元的阵列部，成行和列布置，其中，所述行与字线对应以及所述列与位线对应；以及

组合读/写电路，与所述阵列部中的每条相应的位线相关联，所述组合读/写电路被配置为从与所述相应的位线相关联的存储单元读取或者向与所述相应的位线相关联的存储单元写入。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述组合读/写电路包括位线选择电路，被配置为选择性地将所述相应的位线连接到与所述阵列部中每条所述位线相关联的读出线。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器包括相变存储器，以及其中，所述组合读/写电路包括写置位电路部，被配置为在置位操作中，影响提供给与所述相应的位线的所选择的字线相关联的相变元件的电流置位脉冲幅值。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器包括相变存储器，以及其中所述组合读/写电路包括写复位电路部，被配置为在复位操作中，提供给与所述相应的位线的所选择的字线相关联的相变元件的电流复位脉冲幅值。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述组合读/写电路包括位线预充电电路部，被配置为将非选择的位线拉到预定的电位。

6.一种阻抗存储器，包括：

阻抗存储单元的阵列部，包括多条位线；以及

组合读/写电路，可操作地与位线相关联，其中，所述组合读/写电路包括位线选择电路，被配置为在第一状态中将所述位线与读出电路隔离，以及在第二状态中将所述位线连接到读偏压电位。

7.根据权利要求6所述的阻抗存储器，其中，所述组合读/写电路还包括位线预充电电路，被配置为在所述位线没有被选作对其进行寻址时，将所述位线拉到第一预定电位。

8.根据权利要求7所述的阻抗存储器，其中，所述位线预充电电路还被配置为当与所述位线相关联的阻抗元件被选作编程为复位状态时，将所述位线拉到第二预定电位，其中，所述第二预定电位等于、小于、或大于所述阻抗存储器的电源电压电位。

9.根据权利要求7所述的阻抗存储器，其中，所述位线预充电电路还被配置为当与所述位线相关联的阻抗存储元件被选作编程为置位状态时，使得所述位线浮动。

10.根据权利要求6所述的阻抗存储器，其中，所述组合读/写电路还包括选择地可激活的电流镜电路，被配置为在所述第二状态中将所述位线中的电流镜到读出电路，以及在所述第一状态中将所述位线与所述读出电路隔离。

11.根据权利要求6所述的阻抗存储器，其中，所述组合读/写电路还包括字线选择电路，被配置为选择性地将阻抗元件连接到所述位线。

12.根据权利要求11所述的阻抗存储器，其中，所述字线选择电路还被配置为指示所述阻抗元件承受编程电流的时间周期。

13.根据权利要求6所述的阻抗存储器，其中，所述位线选择电路被配置为指示所述阻抗存储器承受置位状态编程电流的时间周期。

14.根据权利要求6所述的阻抗存储器，其中，所述阻抗存储单元包括相变存储单元。

15.根据权利要求6所述的阻抗存储器，其中，所述阻抗存储器单元包括包含过渡金属氧化物的部件。

16.一种存储器装置，包括：

阻抗存储单元的阵列部，以行和列布置，其中，所述行与字线对应以及所述列与位线对应；以及

寻址装置，用于为读操作和写操作沿位线寻址一个或多个存储单元，其中，所述寻址装置唯一地与所述位线相关联。

17.根据权利要求16所述的存储器装置，还包括读出装置，可操作地与多条位线相关联，用于输出与所述多条位线的一条相关联的存储单元的数据状态相关联的值。

18.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，所述寻址装置包括位线选择装置，用于选择地将所述相应的位线连接到与所述阵列部中每条所述位线相关联的读出线。