[发明专利]像素结构的制作方法

权利要求书

1.一种像素结构的制作方法，该方法包括：

提供一基板；

形成一栅极于所述基板上；

形成一栅介电层于所述基板上，以覆盖所述栅极；

同时形成一信道层、一源极以及一漏极于所述栅极上方的所述栅介电层上，其中所述源极与所述漏极配置于所述信道层的部分区域，且所述栅极、所述信道层、所述源极以及所述漏极构成一薄膜晶体管；

形成一保护层于所述栅介电层与所述薄膜晶体管上；

使用一激光经由一第一屏蔽照射所述保护层，以使得所述保护层暴露出所述漏极；以及

形成一像素电极于所述栅介电层上，且所述像素电极连接至暴露的所述漏极。

2.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中，形成所述栅极的方法包括：

形成一第一金属层于所述基板上；以及

图案化所述第一金属层，以形成所述栅极。

3.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中，形成所述栅极的方法包括：

形成一第一金属层于所述基板上；

提供一第二屏蔽于所述第一金属层上方，且所述第二屏蔽暴露出部分的所述第一金属层；以及

使用激光经由所述第二屏蔽照射所述第一金属层，以移除所述第二屏蔽所暴露的部分所述第一金属层。

4.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中，同时形成所述信道层、所述源极以及所述漏极的方法包括：

形成一半导体层于所述栅介电层上；

形成一第二金属层于所述半导体层上；

形成一光刻胶层于所述栅极上方的所述第二金属层上，其中所述光刻胶层可分为一第一光刻胶区块与位于所述第一区块两侧的一第二光刻胶区块，且所述第一光刻胶区块的厚度小于所述第二光刻胶区块的厚度；

以所述光刻胶层为罩幕对所述第二金属层与所述半导体层进行一第一蚀刻制造工艺；

减少所述光刻胶层的厚度，直到所述第一光刻胶区块被完全移除；以及

以剩余的所述第二光刻胶区块为罩幕对所述第二金属层进行一第二蚀刻制造工艺，以使剩余的所述第二金属层构成所述源极以及所述漏极，而所述半导体层构成所述信道层。

5.如权利要求4所述的像素结构的制作方法，其中，形成所述信道层、所述源极以及所述漏极的方法还包括：

在形成所述半导体层之后，形成一欧姆接触层于所述半导体层表面：以及

经由所述第一蚀刻制造工艺与所述第二蚀刻制造工艺，移除对应于所述第二光刻胶区块之外的所述欧姆接触层。

6.如权利要求4所述的像素结构的制作方法，其中，减少所述光刻胶层厚度的方法包括进行一灰化制造工艺。

7.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中，形成所述像素电极的方法包括：

在移除所述第一屏蔽所暴露的部分所述保护层之后，形成一导电层于所述保护层以及所述薄膜晶体管上；以及

图案化所述导电层。

8.如权利要求7所述的像素结构的制作方法，其中，形成所述导电层的方法包括由溅镀形成一铟锡氧化物层或一铟锌氧化物层。

9.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中，形成所述像素电极的方法包括：

在移除所述第一屏蔽所暴露的部分所述保护层之后，形成一导电层于所述保护层以及所述薄膜晶体管上；

提供一第三屏蔽于所述导电层上方，且所述第三屏蔽暴露出部分的所述导电层；以及

使用激光经由所述第三屏蔽照射所述导电层，以移除所述屏蔽所暴露的部分所述导电层。

10.如权利要求9所述的像素结构的制作方法，其中，形成所述导电层的方法包括由溅镀形成一铟锡氧化物层或一铟锌氧化物层。

11.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中，形成所述像素电极的方法包括：

在移除所述第一屏蔽所暴露的部分所述保护层之后，形成一光刻胶层于所述保护层上，其中所述光刻胶层暴露出部分的所述漏极；

形成一导电层，以覆盖所述保护层、所述漏极以及所述光刻胶层；以及

移除所述光刻胶层，以使所述光刻胶层上的所述导电层一并被移除。

12.如权利要求11所述的像素结构的制作方法，其中，形成所述导电层的方法包括由溅镀形成一铟锡氧化物层或一铟锌氧化物层。