[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及阵列状配置有薄膜晶体管的有源矩阵方式的显示装置及其制造方法，特别涉及与对显示区域内的像素进行驱动的薄膜晶体管同时形成的电容器。

背景技术

随着近年来的高度信息化社会的发展或多媒体系统的迅速普及，液晶显示装置或者有机EL显示装置等的重要性越来越大。作为这些显示装置的像素的驱动方式，广泛采用使用了阵列状配置的薄膜晶体管的有源矩阵方式。

一般地说，在玻璃等绝缘衬底上形成岛状的硅，在岛状硅上形成栅极绝缘膜以及栅电极，由此，制造TFT。在形成TFT电路的同时也形成电容器。

图7以及图8分别是作为以往的显示装置的一部分的电容器(capacitor)部的平面图以及剖面图。如图7以及图8所示，在绝缘衬底111上形成氮化硅膜113以及氧化硅膜114，作为基底膜。并且，在氧化硅膜114的预定位置上形成多晶硅电极118。在多晶硅电极118上形成栅极绝缘膜116。并且，在与栅极绝缘膜116上的多晶硅电极118对置的位置上形成栅极金属(gatemetal)电极117。此处，对于多晶硅电极118来说，在多晶硅膜中以离子注入法或者离子掺杂(ion doping)法引入杂质，作为导体来使用的情况较多。此时，将多晶硅电极118作为一个电极，将栅极金属电极117作为另一电极，构成电容器。在上面图中多晶硅电极118的边缘部位于栅极金属电极117的外侧。

即，多晶硅电极118比栅极金属电极117大，在上面图中其边缘部位于栅极金属电极117的边缘部的外侧，所以，来自多晶硅电极118的漏电流较多，表现不稳定的保持特性。由此，产生不能够表现出良好的电路性能的问题。

以往，在专利文献1中公开了以降低这样的漏电流为目的的技术。根据专利文献1中的半导体装置及其制造方法、以及有机EL显示面板(display panel)，以由第一热氧化膜以及第二热氧化膜构成的两层的热氧化层覆盖岛状硅，由此，使岛状硅的端部的两层热氧化膜的总膜厚为岛状硅的上表面的两层的热氧化膜的总膜厚的70％以上。由此，谋求降低漏电流。即，在现有技术中，通过使热氧化膜多层化来谋求解决所述问题。

专利文献1特开2002-76346号公报

但是，在现有技术中存在使热氧化膜多层化用的制造步骤数增大的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可解决所述问题的能够以简单的结构降低来自多晶硅电极的漏电流的显示装置及其制造方法。

为解决所述课题，本发明的显示装置具有：绝缘衬底；形成在所述绝缘衬底上的多晶硅电极；形成在所述多晶硅电极上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成在与所述多晶硅电极对置的位置上的栅极金属电极，其中，所述栅极金属电极在上面图中覆盖所述多晶硅电极的边缘部的一部分或者全部。

此外，本发明的显示装置的制造方法具有如下步骤：在衬底上形成多晶硅薄膜；在所述多晶硅薄膜上形成栅极绝缘膜；向所述多晶硅薄膜中注入杂质，形成多晶硅电极；在所述栅极绝缘膜上形成导电膜，进行构图，形成栅极金属电极，其中，在形成所述栅极金属电极的步骤中，具有以在上面图中所述栅极金属电极覆盖所述多晶硅电极的边缘部的一部分或者全部的方式形成的步骤。

按照本发明，可提供一种以简单的结构使来自多晶硅电极的漏电流减少、得到稳定的保持特性的显示装置及其制造方法。

附图说明

图1是一般的显示装置的TFT与电容器部的剖面图。

图2是形成栅极金属电极之前的作为显示装置的一部分的电容器的制造步骤剖面图。

图3(a)是表示实施方式1的作为显示装置的一部分的电容器部的平面图，(b)是表示实施方式1的作为显示装置的一部分的电容器部的剖面图。

图4是表示实施方式2的未以栅极金属电极覆盖多晶硅图形的角的结构的电容器部的平面图。

图5(a)是表示实施方式3的将栅极金属电极的一部分作成开口部的结构的电容器部的平面图，(b)是表示实施方式3的将栅极金属电极的一部分作成开口部的结构的电容器部的剖面图，(c)是实施方式3的将栅极金属电极的一部分作成开口部、形成布线层后的电容器部的剖面图。

图6(a)是表示实施方式3的将栅极金属电极的一部分作成凹部的结构的电容器部的平面图，(b)是表示实施方式3的将栅极金属电极的一部分作成凹部的结构的电容器部的剖面图，(c)是表示实施方式3的将栅极金属电极的一部分作成凹部、形成钝化膜后的电容器部的剖面图。

图7是作为现有的显示装置的一部分的电容器部的平面图。